[发明专利]一种适用于双频带载波聚合的复阻抗网络

权利要求书

1.一种适用于双频带载波聚合的复阻抗网络，其特征在于，包括第一阻抗单元、第二阻抗单元以及N路跨导单元，其中：

所述第一阻抗单元的一端与所述第二阻抗单元的一端连接，所述第一阻抗单元通过N路正交本振信号驱动，各路所述正交本振信号在时间上互不交叠，各路所述正交本振信号的占空比为1/N，N＝4n，n为正整数；

所述第二阻抗单元的另一端与地连接，所述第二阻抗单元通过所述N路正交本振信号驱动；

各路所述跨导单元与所述第二阻抗单元连接，不同所述跨导单元的一端与所述第二阻抗单元中的不同中间节点连接，不同所述跨导单元的另一端与所述第二阻抗单元中的不同中间节点连接，所述N路跨导单元用于对所述正交本振信号进行复数信号处理。

2.如权利要求1所述的适用于双频带载波聚合的复阻抗网络，其特征在于，所述第一阻抗单元包括N个N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOS管和N个可调电容，所述NMOS管和所述可调电容一一对应；

各个所述NMOS管的漏极相连接，各个所述NMOS管的源极与对应的可调电容的一端连接，不同所述NMOS管的栅极输入不同所述正交本振信号，各个所述可调电容的另一端与所述第二阻抗单元连接；或者

各个所述NMOS管的源级相连接，各个所述NMOS管的漏极与对应的可调电容的一端连接，不同所述NMOS管的栅极输入不同所述正交本振信号，各个所述可调电容的另一端与所述第二阻抗单元连接。

3.如权利要求1所述的适用于双频带载波聚合的复阻抗网络，其特征在于，所述第二阻抗单元包括N个NMOS管和N个可调电容，所述NMOS管和所述可调电容一一对应；

各个所述NMOS管的漏极相连接，各个所述NMOS管的源极与对应的可调电容的一端连接，不同所述NMOS管的栅极输入不同所述正交本振信号，各个所述可调电容的另一端与地连接；或者

各个所述NMOS管的源级相连接，各个所述NMOS管的漏极与对应的可调 电容的一端连接，不同所述NMOS管的栅极输入不同所述正交本振信号，各个所述可调电容的另一端与地连接。

4.如权利要求3所述的适用于双频带载波聚合的复阻抗网络，其特征在于，所述第二阻抗单元包括N个中间节点，所述中间节点位于所述NMOS管与对应的可调电容相连接的电路上；

第m路跨导单元的一端与第m个中间节点连接，所述第m路跨导单元的另一端与第m+n个中间节点连接，1≤m≤3n；

第m路跨导单元的一端与第m个中间节点连接，所述第m路跨导单元的另一端与第m-3n个中间节点连接，3n+1≤m≤4n。

5.如权利要求1所述的适用于双频带载波聚合的复阻抗网络，其特征在于，所述跨导单元至少包括2个NMOS管和2个P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管PMOS管，所述NMOS管与开关一一对应，所述PMOS管与开关一一对应，所述NMOS管包括第一NMOS管或者第二NMOS管，所述PMOS管包括第三PMOS管或者第四PMOS管；

所述第一NMOS管的栅极分别与所述第二NMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极以及第四PMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的漏极与分别与所述第二NMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极以及第四PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极与对应的开关的一端连接，所述第一NMOS管对应的开关的另一端与电源负极连接，所述第一NMOS管的栅极用于输入电压形式的信号，所述第一NMOS管的漏极用于输出电流形式的信号；

所述第二NMOS管的源极与对应的开关的一端连接，所述第二NMOS管对应的开关的另一端与电源负极连接；

所述第三PMOS管的源极与对应的开关的一端连接，所述第三PMOS管对应的开关的另一端与电源正极连接；

所述第四PMOS管的源极与对应的开关的一端连接，所述第四PMOS管对应的开关的另一端与电源正极连接。

6.如权利要求1所述的适用于双频带载波聚合的复阻抗网络，其特征在于， 所述适用于双频带载波聚合的复阻抗网络集成得到片内滤波器；

所述片内滤波器与信号通路并联。

7.如权利要求1所述的适用于双频带载波聚合的复阻抗网络，其特征在于，所述适用于双频带载波聚合的复阻抗网络置于放大器的中间节点上。