[发明专利]一种LiGaGe2S6化合物和LiGaGe2S6非线性光学晶体及制备方法与应用

权利要求书

1.一种LiGaGe₂S₆非线性光学晶体，其特征在于，该晶体不具有对称中心，属正交晶系，空间群为F d d 2(43)，晶胞参数为所述的晶体以LiGaGe₂S₆化合物为原料制得，所述的LiGaGe₂S₆化合物的制备方法是将含Li物质、含Ga物质、含Ge物质及单质S按摩尔比Li:Ga:Ge:S＝1:1:2:6的比例配料，混合均匀后，进行固相反应，即制得所述的LiGaGe₂S₆化合物；

所述的含Li物质为锂单质或硫化锂，所述的含Ge物质为锗单质或二硫化锗，所述的含Ga物质为镓单质或三硫化二镓；

所述的固相反应的步骤为：将含Li物质、含Ga物质、含Ge物质及单质S按摩尔比Li:Ga:Ge:S＝1:1:2:6的比例配料，研磨、混合均匀，装入石英管中，对石英管抽真空，熔化封装，放入马弗炉中，以10-50℃/小时的速率升温至800-950℃，恒温烧结10-24小时，待冷却后取出样品；将取出的样品重新研磨、混合均匀，再置于石英管中，抽真空，熔化封装，再放入马弗炉中，以10-50℃/小时的速率升温至800-950℃，恒温烧结10-24小时，后经捣碎研磨，即可。

2.一种如权利要求1所述的LiGaGe₂S₆非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，该方法是以LiGaGe₂S₆化合物为原料，通过高温熔体自发结晶法生长成LiGaGe₂S₆非线性光学晶体。

3.根据权利要求2所述的一种LiGaGe₂S₆非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

(1)将由固相反应制得的LiGaGe₂S₆化合物置于石英管中，抽真空，用氢氧焰封装后，置于管式生长炉中；

(2)对管式生长炉加热，以1-5℃/小时的速率升温至900-960℃，恒温10-24小时，再以1-5℃/小时的速率降至室温，关闭管式生长炉，待石英管冷却后切开，即制得所述的LiGaGe₂S₆非线性光学晶体。

4.一种如权利要求1所述的LiGaGe₂S₆非线性光学晶体的应用，其特征在于，所述的LiGaGe₂S₆非线性光学晶体用于制备非线性光学器件，该非线性光学器件包含降至少一束入射电磁辐射通过至少一块所述的LiGaGe₂S₆非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。