[发明专利]一种改善PS胶体晶体膜呈色角度依赖性和色饱和度的方法在审
| 申请号: | 201610077638.4 | 申请日: | 2016-02-03 |
| 公开(公告)号: | CN105733009A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
| 发明(设计)人: | 王莉丽;王秀锋;宫在磊;于成龙;江红涛 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
| 主分类号: | C08J7/06 | 分类号: | C08J7/06;C08J5/18;C08L25/06 |
| 代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 段俊涛 |
| 地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改善 ps 胶体 晶体 膜呈色 角度 依赖性 饱和度 方法 | ||
1.一种改善PS胶体晶体膜呈色角度依赖性和色饱和度的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)采用乳液聚合法制备平均粒径为340±10nm的PS微球母液,以去离子水为溶剂,将其稀释为PS微球浓度为0.1-0.5wt%的乳液,置于30-100mL玻璃器皿中超声分散30-60min;
(2)用去离子水清洗基片,然后分别在乙醇和去离子水中超声清洗30-90min后烘干备用,将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的PS乳液中,放入烘箱中9-12h缓慢烘干得到组装好的PS胶体晶体膜,烘干温度为40-65℃;
(3)将从烘箱中取出的PS胶体晶体膜放入蒸镀仪中镀碳膜,使PS胶体晶体膜表面的碳膜厚度为5-10nm;
(4)将已经镀过碳膜的PS胶体晶体膜取出,改变靶材为铂金,采用真空离子溅射法在碳膜表面再镀一层厚度为5-10nm的铂金膜,即得低角度依赖的呈色明亮的单一绿色PS胶体晶体膜。
2.根据权利要求1所述改善PS胶体晶体膜呈色角度依赖性和色饱和度的方法,其特征在于,所述基片为玻璃基片、金属基片或有机基片等。
3.根据权利要求1所述改善PS胶体晶体膜呈色角度依赖性和色饱和度的方法,其特征在于,所述步骤(3)中,通过控制镀膜电流和碳丝的粗细实现对碳膜厚度的控制;所述步骤(4)中,通过控制镀膜电流和时间实现对铂金膜厚度的控制。
4.根据权利要求1所述改善PS胶体晶体膜呈色角度依赖性和色饱和度的方法,其特征在于,所述步骤(3)中,设置镀膜电流为60mA;所述步骤(4)中,设置镀膜电流为10mA,镀膜时间为50-100s。
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