[发明专利]按键结构有效
| 申请号: | 201610077196.3 | 申请日: | 2014-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN105551866B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
| 发明(设计)人: | 许建士 | 申请(专利权)人: | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01H13/705 | 分类号: | H01H13/705 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 按键 结构 | ||
本申请是申请日为2014年8月29日、申请号为201410436255.2、发明名称为《按键结构》的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种按键结构,尤其指一种机械式按键结构。
背景技术
传统按键的上下运动的距离较长,故可轻易地于其键帽下方设置碗形橡胶体,使得当键帽被向下按压时,该碗形橡胶体亦被向下压缩而产生弹力,而当键帽被释放时,碗形橡胶体产生的弹力驱使键帽向上移动以回复原位。然而,随着键盘薄型化的趋势,键盘上下运动的高度被要求降低时,碗形橡胶体的高度也要随着降低,但是碗形橡胶体的高度降低后,寿命与弹力的特性都会变差。此外,对于较长的按键(又称倍数按键),通常于其键帽底部设置多个连杆让使用者在键帽上的任意位置按压时,可确实保持水平上下运动并且可让使用者感受到明确的回弹力(或手感),但随着键盘高度被要求再降低时,由于空间限制,这种设计不容易实施。
发明内容
鉴于先前技术中的问题,本发明的目的在于提供一种按键结构,该按键结构利用磁吸力配合支架杠杆结构提供键帽稳定的作动,进而可提供较明确且稳定的按压行程手感。
为了达到上述目的,本发明提出一种按键结构,该按键结构包含:底座、键帽、第一支架和第一磁性件。该键帽能沿第一方向相对于该底座上下移动,该第一支架具有第一侧边部、第二侧边部、第一拘束结构及第一磁性部,该第一侧边部与该底座保持抵接,该第二侧边部相对于该第一侧边部设置并活动地连接该键帽,该第一磁性部由该第一侧边部向外延伸,该第一限位结构拘束该第一拘束结构使得该第一支架于其延伸方向上的移动受到拘束,该第一支架的延伸方向垂直于该第一方向;第一磁性件对应该第一磁性部设置于该底座上,该第一磁性件与该第一磁性部之间产生第一磁吸力,当外力按压该键帽时,该第一支架以该第一侧边部相对于该底座转动,使该第一磁性部远离该第一磁性件且该键帽靠近该底座,当该外力释放时,该第一磁吸力驱使该第一支架以该第一侧边部相对于该底座旋转以使该键帽远离该底座。
作为可选的技术方案,该第一侧边部与该底座经由第一锐边保持抵接;其中,该第一锐边设置于该第一侧边部;或者,该第一锐边设置于该底座。
作为可选的技术方案,该按键结构还包含第二支架,该第二支架与该第一支架相对设置,该第二支架具有第三侧边部及第四侧边部,该第三侧边部保持抵接该底座,该第四侧边部相对于该第三侧边部设置并活动地连接该键帽。
作为可选的技术方案,该第二支架还包括抵接部,该抵接部由该第三侧边部向外延伸,该抵接部抵接该第一支架。
作为可选的技术方案,该抵接部位于该第一磁性部与该底座之间。
作为可选的技术方案,该底座包含两个第三定位结构,该第一支架包含第一定位结构,该第一定位结构邻近该第一磁性部设置,该第二支架包含第二定位结构,该第二定位结构邻近该抵接部设置,该底座的该两个第三定位结构分别与该第一支架的该第一定位结构及该第二支架的该第二定位结构一一对应卡合。
作为可选的技术方案,该按键结构还包含第二磁性件,该第二磁性件设置于该底座上且该第二磁性件位于该第一支架及该第二支架之间,其中该第一支架具有第二磁性部,该第二磁性部对应该第二磁性件并与该第二磁性件之间产生第二磁吸力,以驱使该第一侧边部抵接该底座,以及该第二支架具有第三磁性部,该第三磁性部对应该第二磁性件并能与该第二磁性件之间产生第三磁吸力,以驱使该第三侧边部抵接该底座。
作为可选的技术方案,该按键结构还包含两个第二磁性件,该两个第二磁性件设置于该底座上且该两个第二磁性件位于该第一侧边部的下方,该第一磁性件位于该两个第二磁性件之间,其中该第一支架具有两个第二磁性部,该两个第二磁性部分别一一对应该两个第二磁性件并与该两个第二磁性件之间产生第二磁吸力,以驱使该第一侧边部抵接该底座。
作为可选的技术方案,该第一磁性件及该两个第二磁性件沿第二方向排列,该第一支架沿该第二方向延伸,该第一磁性部位于该第一侧边部的中间部位,该第二方向垂直于该第一方向。
作为可选的技术方案,该第一拘束结构包含两个突出部,该两个突出部突出于该第一侧边部,该第一限位结构包含两个挡止部,该两个突出部分别一一对应地位于该两个挡止部之间,该两个挡止部于该第二方向挡止该两个突出部。
作为可选的技术方案,该第一磁性部位于该两个突出部之间。
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