[发明专利]一种层状铼氮化合物ReN2的合成方法有效
申请号: | 201610077184.0 | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN105752949B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 崔田;吴刚;黄艳萍;李芳菲;黄晓丽 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C01B21/06 | 分类号: | C01B21/06 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 层状 氮化 ren sub 合成 方法 | ||
技术领域
本发明属于过渡金属化合物合成方法的技术领域,涉及一种新的制备层状ReN2的手段。
背景技术
B、C、N、O等轻元素与Re、Os、Yr等过渡金属所形成的化合物中,具有很复杂的化学键,普遍具有较高的硬度。但层状ReN2的硬度却异乎寻常的低于其他铼氮化合物。对这一反常现象的研究有益于探索高温高压下物质变化的物理机制。
现有合成层状ReN2的技术可参见Synthesis of rhenium nitride crystals with MoS2structure(Appl.Phys.Lett.100,251910 2012)。该文献中利用大腔体压机使ReCl5与Li3N在高温高压下发生置换反应。由于其用到的反应物对环境的水氧含量较为敏感,实验的准备过程需要在手套箱中进行,操作较为繁琐。若对合成的ReN2进行进一步实验研究,还需经过一系列较复杂的准备工作将其装于相应的实验装置中,加大了实验的资源投入。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:克服背景技术存在的问题和缺陷,提供一种简单的制备MoS2型层状ReN2的合成方法。以NaN3和Re单质为原料,利用DAC装置和激光加热技术提供高温高压环境,从而合成层状ReN2。
本发明的具体技术方案如下。
一种层状铼氮化合物ReN2的合成方法,将铼粉和叠氮化钠(NaN3)以质量比1:2混合作为原料,放置于研钵中充分研磨,取研磨后的混合物装入DAC(金刚石对顶砧)装置,向DAC装置充入液氩,然后将原料加压至30GPa,以20W的功率进行激光加热8~12分钟,得到层状结构的ReN2。
本发明的一种层状铼氮化合物ReN2的合成方法中,激光加热的时间优选10分钟。
本发明的一种层状铼氮化合物ReN2的合成方法中,在DAC装置的上下砧面最好分别放置四颗粒度为20~30μm的红宝石作为隔热层,以避免反应物与金刚石砧面直接接触,同时红宝石还可用于标定样品腔内压力。
有益效果:
与现有技术的方法相比,本发明制备层状结构ReN2具有如下优点:
1、原料在空气中稳定,实验准备过程简单。
2、合成过程中DAC装置的温度与压力更容易控制,合成安全性好并且可重复性高。
3、合成的样品可直接在DAC装置中进行进一步的高温高压光谱研究,缩短了实验周期。
附图说明
图1是本发明所使用的DAC装置砧面处样品腔的示意图。
图2是实施例1中30GPa时激光加热后的样品腔形貌。
图3是实施例2的XRD图谱的精修结果,以及杂峰的指认结果。
图4是实施例1制备的层状ReN2的结构图(其中大球代表Re原子,小球代表N原子)。
具体实施方式
现结合下列实施例更加具体地描述本发明,如无特殊说明,所用试剂均为市售可获得的产品,并未加进一步提纯使用。
实施例1层状ReN2的合成
选用金刚石砧面为300μm的DAC装置(如图1),以铼片作为封垫材料,先用DAC装置将铼片预压至厚度40μm,在压痕的中心用电火花打孔器打出一直径为140μm的孔作为样品腔。为减小激光加热对金刚石压砧造成的损坏,在 DAC装置的上下砧面分别放置四颗粒度为20~30μm的红宝石作为隔热层,避免反应物与金刚石砧面的接触,同时红宝石还用于标定样品腔内压力。铼粉与NaN3以1:2的质量比例在研钵中充分混合,研磨后挑选一块Re、NaN3混合物样品放入样品腔内,样品直径80μm,厚度30μm,将DAC装置闭合置于液氩中,使液氩流入样品腔内作为传压介质。拧紧加压螺丝,加压至30GPa开始激光加热。
采用Nd:YLF激光作为加热光源,最大功率为55W。激光通过加热光路被聚焦到样品腔内,通过调节激光功率控制样品腔内温度。激光功率在15分钟内由0W递增至20W,之后保持激光功率20W加热10分钟,得到层状ReN2。(激光加热后的样品腔见图2)
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