[发明专利]聚合物微流控芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种聚合物微流控芯片的制备方法，其特征在于包括：

提供包含有电极的第一聚合物基底，所述电极凸设于所述第一聚合物基体的第一表面；

采用UV-LIGA技术制备形成微流道模具，再利用所述微流道模具，通过微注塑方式或旋涂、剥离方式制备出包含有微流道的第二聚合物基体，所述微流道凹设于所述第二聚合物基体的第二表面；

将所述第一聚合物基体的第一表面与第二聚合物基体的第二表面相互封接，并使所述电极至少局部凸露于所述微流道内，实现所述聚合物微流控芯片的封装。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述微流道模具的制备方法包括如下步骤：

（1）在金属镍基片上溅射厚度为800～1000?的金属Ti层，并作氧化处理；

（2）在经过步骤（1）处理的金属镍基片上依次进行甩负性光刻胶、前烘、切片、曝光、中烘、显影处理，根据掩模版设计的微流道模具形状，实现微型沟道光刻胶结构的图形化，获得图形化导电层；

（3）在所述图形化导电层上电镀形成深宽比为1：1～50：1的金属镍模具结构层；

（4）以平面加工技术对所述金属镍模具结构层进行平坦化加工；

（5）去除负胶、清洗，得到所述微流道模具。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：

提供第一聚合物基体，并在该第一聚合物基体的第一表面依次形成基底金属层和电极金属层，并在所述电极金属层上形成于所述微流控芯片结构对应的图形化掩膜，之后利用所述图形化掩膜，采用湿法刻蚀工艺依次对所述电极金属层、基底金属层进行刻蚀，形成包含有相互间隔设置的工作电极、对电极和参比电极的第一聚合物基底；

以及，将所述第一聚合物基体的第一表面与第二聚合物基体的第二表面相互封接，并使所述工作电极、对电极和参比电极至少局部凸露于所述微流控通道内，实现所述聚合物微流控芯片的封装。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：通过粘接或键合方式将所述第一聚合物基体与第二聚合物基体相互封接而形成所述聚合物微流控芯片。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述微流道的深宽比为1:1~50:1，且所述微流道内壁的粗糙度在500nm以下。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述工作电极、对电极和参比电极相互配合形成插齿式的三电极检测结构。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述电极金属层的厚度为20～50nm，所述基底金属层的厚度为100～200nm。

8.根据权利要求3或7所述的制备方法，其特征在于：所述基底金属层采用金属Ti层。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述聚合物基体的厚度为0.5～2mm，而所述微流道的深度为5～1000μm。

10.由权利要求1-9中任一项所述方法制备的聚合物基底微流控芯片。