[发明专利]碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板

权利要求书

1.一种碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

将载体基板放入碳纳米管悬浮液中，所述载体基板包括第一衬底 基板以及形成于所述第一衬底基板上的电极对，所述电极对包括相对 设置的第一电极和第二电极；

对构成所述电极对的第一电极和第二电极分别施加电压，使得所 述第一电极和所述第二电极之间形成电场，所述碳纳米管悬浮液中的 碳纳米管在所述电场作用下聚集在所述第一衬底基板设置有所述电极 对的一侧表面，以形成碳纳米管薄膜。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于， 对所述第一电极和所述第二电极分别施加的电压为1V～50V。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于， 对构成所述电极对的第一电极和第二电极分别施加电压的时间为 1s～300s。

4.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于， 所述碳纳米管悬浮液中分散剂包括乙醇、氯仿、邻二甲苯、甲苯中的 至少一种。

5.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于， 还包括：将形成有碳纳米管薄膜的第一衬底基板从所述碳纳米管悬浮 液中取出，并对所述碳纳米管薄膜行进行干燥处理。

6.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于， 构成所述第一电极的材料包括铝和铜中的至少一种；

构成所述第二电极的材料包括铝和铜中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于， 所述将载体基板放入碳纳米管悬浮液中之前，还包括：

在所述载体基板上形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖部分所述电 极对的表面，以及构成一电极对的第一电极与第二电极之间的所述第 一衬底基板的表面。

8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1-7任一项所述的碳纳米管薄膜的制备方法形成 碳纳米管薄膜；

将第一衬底基板与待制备薄膜晶体管的第二衬底基板对合，并将 所述碳纳米管薄膜转印至所述薄膜晶体管有源层的预设位置；其中， 所述碳纳米管薄膜的图案与所述薄膜晶体管有源层的图案相匹配；

剥离所述第一衬底基板。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于， 所述将第一衬底基板与待制备薄膜晶体管的第二衬底基板对合，并将 所述碳纳米管薄膜转印至所述薄膜晶体管有源层的预设位置之前，所 述方法还包括：

在所述碳纳米管薄膜背离所述第一衬底基板的一侧表面形成粘结 层。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于， 当载体基板上形成有牺牲层时，所述剥离第一衬底基板之后，所述方 法还包括将所述牺牲层去除。

11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求8-10 任一项所述的薄膜晶体管的制备方法；

其中，第二衬底基板上形成有多个呈矩阵形式排列的待成型薄膜 晶体管，第一衬底基板上的一个电极对的位置与一个薄膜晶体管的预 设位置相对应，以使得形成在所述电极对上的碳纳米管薄膜的位置与 所述薄膜晶体管有源层的预设位置相对应。

12.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求8-10任一项 所述的薄膜晶体管的制备方法制得。

13.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求11所述的阵列 基板的制备方法制得。

14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的阵列 基板。

15.一种应用于如权利要求8-10任一项所述的薄膜晶体管的制备 方法中的载体基板，其特征在于，所述载体基板包括第一衬底基板以 及形成于所述第一衬底基板上的电极对，所述电极对包括相对设置的 第一电极和第二电极。