[发明专利]可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法

权利要求书

1.一种可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于至少包含下列步骤：

(A)将一金属铜粉蚀洗；

(B)将被蚀洗金属铜粉溶解于乙二醇中形成金属铜溶液，另将一金属银粉溶解于乙二醇中形成金属银溶液；

(C)将该金属铜溶液与该金属银溶液混合形成金属混合溶液，并在该金属混合溶液中进行化学置换反应，使该金属银所游离的银离子往该被蚀洗金属铜粉表面移动，并还原成纳米银型态而在该被蚀洗金属铜粉表面上形成一层纳米银；

(D)将该金属混合溶液过滤干燥后，取得纳米银包铜粉末；以及

(E)将该纳米银包铜粉末在无还原气氛下进行烧结，并于金属铜粉氧化前将表面纳米银烧结为熔融态使其包覆于金属铜粉，获得纳米银包铜厚膜膏，其中该纳米银的包覆厚度介于100nm～400nm之间，且该纳米银粒径介于40nm～70nm之间。

2.根据权利要求1所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该金属铜粉为片状铜粉。

3.根据权利要求1所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该步骤(C)系在置换温度为20℃～30℃之间，且置换时间为30分钟～90分钟之间进行化学置换反应。

4.根据权利要求1所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该步骤(C)金属混合溶液的摩尔浓度为0.05mol～0.2mol。

5.根据权利要求1所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该纳米银包铜厚膜膏的纳米银包铜粉末的固含量为80wt％～95wt％。

6.根据权利要求1所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该步骤(E)系在一低温环境下完成烧结，该低温环境为300℃以内。

7.根据权利要求1或6所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该步骤(E)系以升温速率3℃/min且持温15～30分钟进行烧结。

8.根据权利要求1或6所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该纳米银包铜厚膜膏系由固化剂、纳米银包铜粉末及添加物所组成，且该固化剂为高分子树脂与玻璃无机物，而该添加物为分散剂或流变调整剂。

9.根据权利要求1或6所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该纳米银包铜厚膜膏的电阻率大于10^-5W·cm。

10.根据权利要求1或6所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该纳米银包铜厚膜膏适用于键盘的膜片开关线路印刷、电阻及电容式触控面板上的导线印制、显示器上的电极线路印刷及PCB板芯片焊接油墨。

11.根据权利要求1所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该步骤(E)系在一高温环境下完成烧结，该高温环境为600℃以上。

12.根据权利要求1或11所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该纳米银包铜厚膜膏系由纳米银包铜粉末、有机黏结剂、添加物及玻璃所组成，且该添加物为分散剂或流变调整剂。

13.根据权利要求1或11所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该纳米银包铜厚膜膏的电阻率小于10^-5W·cm。

14.根据权利要求1或11所述的可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法，其特征在于，该纳米银包铜厚膜膏适用于被动组件的内电极、表面黏着组件的端电极、LED陶瓷散热基板电极，及硅基太阳电池的上部银电极。