[发明专利]一种等离子反应腔体的渗漏检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种等离子反应腔体的渗漏检测方法。

背景技术

半导体制造行业中使用到的等离子反应腔体均需进行检漏测试，用于保证等离子反应腔体处于稳定的工作环境。现有的检漏方法为利用真空压力计作为测量工具，测量等离子反应腔体一定时间段前后的压力值，并将前后的两个压力值的差值与时间段的比值作为此等离子反应腔体的漏率。但是，测量中必须保证真空压力计没有任何问题；如果等离子反应腔体一定时间段前后的压力值变化很小，真空压力计的精度不足于区分时，会存在漏率测量误差；且，使用过程中等离子反应腔体有漏时，其漏入的物质可通过等离子反应腔体的排出口及时排出，导致真空压力计前后读值不变，无法检测出渗漏。

发明内容

本发明目的是提供一种等离子反应腔体的渗漏检测方法，解决现有技术中存在的上述问题。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种等离子反应腔体的渗漏检测方法，包括如下步骤：

步骤1，分别向正常等离子反应腔体中通入预设含量的氟烷基气体和与所述预设含量不同的已知含量的氟烷基气体，接入预设激发能量使气体电离，并分别采集电离过程中发射的谱线生成第一光谱曲线；

步骤2，分别向正常等离子反应腔体中通入所述预设含量的氟烷基气体与不同已知含量的其它气体的组合气体，接入所述预设激发能量使气体电离，并分别采集电离过程中发射的谱线生成第二光谱曲线；其中，所述其它气体包括待检测等离子反应腔体工作中容易漏入的气体；

步骤3，向所述待检测等离子反应腔体中通入所述预设含量的氟烷基气体，接入所述预设激发能量使气体电离，并采集电离过程中发射的谱线生成第三光谱曲线；

步骤4，将所述第三光谱曲线与所述第一光谱曲线和所述第二光谱曲线进行对比，获取与所述第三光谱曲线相匹配的匹配光谱曲线；并根据所述匹配光谱曲线所对应的正常等离子反应腔体中各气体的含量，获知所述待检测等离子反应腔体的渗漏情况。

本发明的有益效果是：光谱曲线能够有效表征等离子反应腔体中各气体的含量，故第三光谱曲线和匹配光谱曲线对应的等离子反应腔体中的各气体的含量基本一致，而匹配光谱曲线对应的等离子反应腔体中的各气体的含量已知，进而可获知第三光谱曲线对应的等离子反应腔体，即待检测等离子反应腔体中的各气体的含量，再进而获知待检测等离子反应腔体的渗漏情况；检测准确，并且可以根据待检测等离子反应腔体中的各气体的含量，推测待检测等离子反应腔体的渗漏原因，便于及时排除渗漏。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述预设激发能量为已知强度的射频电磁波。

采用上述进一步方案的有益效果是，使气体充分电离，提高检测准确性。

进一步，所述其它气体包括氮气、氧气、二氧化碳和空气。

采用上述进一步方案的有益效果是，氮气、氧气、二氧化碳和空气为待检测等离子反应腔体工作中容易漏入的气体，故，其它气体包括氮气、氧气、二氧化碳和空气，利于提高匹配光谱曲线与第三光谱曲线的相似性，从而更准确的获知待检测等离子反应腔体中的各气体的含量，提高检测准确性。

进一步，所述空气为所述待检测等离子反应腔体所处工作环境中的空气。

采用上述进一步方案的有益效果是，进一步提高匹配光谱曲线与第三光谱曲线的相似性，从而更准确的获知待检测等离子反应腔体中的各气体的含量，提高检测准确性。

进一步，所述预设含量为所述待检测等离子反应腔体工作时所需氟烷基气体的含量。

采用上述进一步方案的有益效果是，实现待检测等离子反应腔体工作时渗漏情况的实时检测。

进一步，所述第一光谱曲线、第二光谱曲线和第三光谱曲线的生成为分别通过光谱分析仪采集所述第一光谱曲线、第二光谱曲线和第三光谱曲线对应的电离过程中发射的谱线而生成。

进一步，所述正常等离子反应腔体与待检测等离子反应腔体的型号相同。

采用上述进一步方案的有益效果是，提高检测准确性。

附图说明

图1为本发明一种等离子反应腔体的渗漏检测方法的方法流程图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

如图1所示，一种等离子反应腔体的渗漏检测方法，包括如下步骤：