[发明专利]高压启动电路

权利要求书

1.一种高压启动电路，用以在启动时提供电流给控制器的供电端VDD及启动电容C3，其特征在于：包括晶体管ND1、二极管D1、NMOS管NM1、通断控制模块、大电流取电模块、小电流取电模块和使能模块，其中，大电流取电模块与小电流取电模块并联连接；使能模块用于控制NMOS管NM1、通断控制模块和大电流取电模块的通断，进而改变高压启动电路的工作状态，

电源刚上电时，供电端VDD的电压为0V，使能模块控制NMOS管NM1关断、通断控制模块导通，晶体管ND1自然导通，输入电源经晶体管ND1、二极管D1和小电流取电模块所形成的电流通路输出，用于为控制器的供电端VDD提供低值电流，以给启动电容C3充电；

当供电端VDD的电压大于低预设电压后，供电端VDD的电压使大电流取电模块开始工作，通过大电流取电模块的输出通路短接小电流取电模块，使输入电源经晶体管ND1、二极管D1和大电流取电模块的输出通路所形成的电流通路输出，用以为控制器的供电端VDD提供高值电流，以给启动电容C3充电直至控制器启动；

当控制器完成启动后，使能模块控制NMOS管NM1导通、通断控制模块关断，使晶体管ND1的栅源电压达到其关断阈值，进而使晶体管ND1关断，关闭高压启动电路。

2.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：所述高压启动电路，

在供电端VDD短路时，短路电流经小电流取电模块连接到地，用以通过高压启动电路控制短路电流为低值电流；

在控制器保护关断时，使能模块的静态工作所需的能量由启动电容C3提供给供电端VDD，在供电端VDD的电压下降至高预设电压时，使能模块重新开启高压启动电路，大电流取电模块工作，使输入电源经晶体管ND1、二极管D1和大电流取电模块后输出，用以为控制器的供电端VDD提供高值电流，以给启动电容C3充电直至控制器重新启动，使能模块再一次使晶体管ND1的栅源电压达到其关断阈值，进而使晶体管ND1关断，关闭高压启动电路，如此重复，控制器与高压启动电路的交替开启与关闭，直至控制器检测到保护消除。

3.根据权利要求1或2所述的高压启动电路，其特征在于：所述NMOS管NM1的栅极与使能模块的输出连接；漏极与晶体管ND1的栅极连接；源极接地。

4.根据权利要求1或2所述的高压启动电路，其特征在于：所述通断控制模块，包括PMOS管PM1和电阻R1，PMOS管PM1的源极与晶体管ND1的源极连接；PMOS管PM1的栅极与使能模块的输出连接；PMOS管PM1的漏极经电阻R1与晶体管ND1的栅极连接。

5.根据权利要求1或2所述的高压启动电路，其特征在于：所述通断控制模块，包括电阻R1和二极管D2，电阻R1的一端与晶体管ND1的栅极连接，电阻R1的另一端分别与晶体管ND1的源极及二极管D2的阴极连接，二极管D2的阳极与使能模块的输出连接。

6.根据权利要求1或2所述的高压启动电路，其特征在于：所述大电流取电模块，包括电阻R2、R3，PMOS管PM2，NMOS管NM2、NM3，和齐纳管DZ1，电阻R2的一端分别与二极管D1的阴极及PMOS管PM2的源极连接，电阻R2的另一端分别与PMOS管PM2的栅极及NMOS管NM2的漏极连接，NMOS管NM2的源极接地；NMOS管NM2的栅极分别与电阻R3的一端、齐纳管DZ1的阴极及NMOS管NM3的漏极连接，电阻R3的另一端与PMOS管PM2的漏极连接，电阻R3的另一端还引出作为大电流取电模块的输出，用以为控制器的供电端VDD提供高值电流；齐纳管DZ1的阳极接地；NMOS管NM3的源极接地；NMOS管NM3的栅极与使能模块的输出连接，其中，PMOS管PM2的源极还与小电流取电模块的输入连接，PMOS管PM2的漏极还与小电流取电模块的输出连接，用以在大电流取电模块开始工作后，通过PMOS管PM2短接小电流取电模块。

7.根据权利要求1或2所述的高压启动电路，其特征在于：所述小电流取电模块包括齐纳管DZ2和电阻R4，齐纳管DZ2的阴极作为小电流取电模块的输入，与二极管D1的阴极连接；齐纳管DZ2的阳极经电阻R4引出作为小电流取电模块的输出。