[发明专利]EUV设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法

权利要求书

1.一种极紫外光刻的设计规则，光源和掩模的联合优化方法，包括：

针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；

其中，进行第一优化仿真包括：

S05：在整个掩模版图上使用统一的吸收层厚度，对热点区域进行光源和掩模联合的第一优化仿真，并获取优化后的光源和掩模版图；

S06：对优化后的光源和掩模版图进行分析，评估成像结果是否满足第一光刻工艺条件，若光刻成像质量满足第一光刻工艺条件，则光源掩模联合优化SMO完成，执行步骤S08，如果不能够满足第一光刻工艺条件，则执行步骤S07；

S07：根据第一优化仿真的成像结果分析光刻条件中的不足，调整光刻工艺参数以及重复执行步骤S05、步骤S06，直至优化后的光源和掩模版图满足第一光刻工艺条件；

S08：确定满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图；

进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图；

其中，进行第二优化仿真包括：

S09：确定掩模版图的吸收层厚度的范围以及步长，按照预先设定的步长将一定范围的吸收层厚度进行采样，分别计算不同吸收层厚度下的极紫外光刻成像模型，利用不同吸收层厚度进行多次光源掩模联合优化SMO；

S10：对不同的吸收层厚度的SMO结果的工艺窗口进行第二优化仿真，选择出最佳的吸收层厚度、光源和掩模版图；

S11：评估上述最佳的光源、掩模版图成像结果是否满足第二光刻工艺条件，如果能够满足第二光刻工艺条件，则执行步骤S13，若不满足要求，则执行步骤S12；

S12：根据上述光刻工艺参数，同时对掩模设计规则、光源、掩模图形进行优化，直至所述第二优化仿真的评估结果满足第二光刻工艺条件，确定满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图；

S13：计算掩膜图形的每个边缘分别计算阴影宽度，并按照上述步骤中更新后的掩膜图形尺寸进行调整，补偿其阴影效应。

2.根据权利要求1所述的联合优化方法，其中，步骤S07中调整的工艺参数包括：掩模可制造性的基本规则以及参与优化的掩模误差、曝光剂量浮动和离焦量。

3.根据权利要求1所述的联合优化方法，其中，第一光刻工艺条件包括：预设测量位置处的特征尺寸容限，预设曝光宽容度的焦深。

4.根据权利要求3所述的联合优化方法，其中，预设测量位置处的特征尺寸容限为图形宽度的±10％，焦深为5％曝光宽容度处的焦深。

5.根据权利要求1中所述的联合优化方法，其中，步骤S12中对掩模设计规则、光源和掩模图形进行优化包括:

从改变芯片设计尺寸的角度出发,基于上述步骤光刻成像结果反馈的信息进行分析，得到一套健全的版图设计规则，并在优化过程中根据得到的设计规则对相关图形尺寸重新定义，同步进行目标图形、光源、掩模图形的优化,直至满足极紫外光刻工艺指标。

6.根据权利要求1中所述的联合优化方法，其中，步骤S12中最终优化结果包括版图设计规则相关参数、目标图形、更新后的测量参数、优化后的光源和掩模图形。

7.一种极紫外光刻的成像建模方法，包括：

S03：根据输入的光源信息和掩模版图信息，对杂散光进行计算并补偿得到杂散光光强分布；

S04：计算理想的光刻光强分布，结合得到的杂散光光强分布，计算得到含杂散光的成像光强分布，在极紫外光刻成像光强分布中，建立极紫外光刻成像模型，所述极紫外光刻成像模型包括优化后的光源和掩模版图；

按照权利要求1-6之一的方法对极紫外光刻成像模型进行设计规则，光源和掩模的联合优化；

S14：获得优化后的光源和掩模版图并输出结果。

8.根据权利要求7所述的成像建模方法，其中，在步骤S03之前进一步包括：

S01：输入初始光源信息和掩模版图信息；

S02：对所述掩模版图进行检测，并选择热点区域。