[发明专利]一种N型背结太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种N型背结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)碱抛光：利用碱溶液对N型硅片的背面进行碱抛光处理；

2)硼掺杂：对N型硅片的背面进行硼掺杂处理，以形成p⁺发射层，控制N型硅片的背面表面的掺杂浓度峰值达到2E²⁰cm^-3以上；

3)清洗：对N型硅片的背面进行清洗，以去除N型硅片的背面的硼硅玻璃层或氧化层；

4)碱制绒：利用碱溶液对N型硅片的正面进行制绒处理，得到N型背结太阳能电池的主体结构；

将步骤4)中处理后的主体结构经磷掺杂、沉积钝化膜、金属化处理，即可得到N型背结太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

在所述步骤1)之前还包括预清洗：将原始的N型硅片进行RCA清洗，去除N型硅片表面的杂质；

所述预清洗采用的溶液为RCA清洗液，且RCA清洗液中的NH₄OH、H₂O₂、H₂O的体积比为1：1：5；

所述步骤1)中的碱抛光采用的溶液为碱溶液，碱溶液为质量浓度20～30％的TMAH溶液、或质量浓度15～25％的NaOH溶液。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤2)中的硼掺杂为背面全面积硼掺杂或背面局部硼掺杂。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步骤2)中的硼掺杂具体为：硼扩散或硼注入。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，当所述步骤2)中的硼掺杂具体为硼扩散时，所述步骤3)中的清洗采用的溶液为质量浓度8～12％的HF溶液，以去除N型硅片的背面的硼硅玻璃层。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，当所述步骤2)中的硼掺杂具体为硼注入时，控制N型硅片的背面表面的掺杂浓度峰值达到2E²⁰cm^-3以上，所述步骤3)中的清洗采用的溶液为质量浓度8～12％的HF溶液，以去除N型硅片的背面的氧化硅层。

7.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，

所述磷掺杂具体为：当所述步骤2)中的硼掺杂为背面全面积硼掺杂时，对N型硅片的正面进行磷掺杂处理；当所述步骤2)中的硼掺杂为背面局部硼掺杂时，对N型硅片的正面和背面分别进行磷掺杂处理；

所述沉积钝化膜具体为：对N型硅片的表面沉积钝化膜；

所述金属化具体为：对N型硅片的表面印刷浆料，形成电极。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，

所述磷掺杂为磷扩散；

在磷扩散之前还包括制作掩蔽膜，制作掩蔽膜具体为：在硼掺杂处理后的N型硅片的硼扩散面形成掩蔽膜；

在磷扩散之后、沉积钝化膜之前还包括HF去除掩蔽膜以及PSG，所述HF去除掩蔽膜以及PSG具体为：对N型硅片的正面去除PSG、背面去除掩蔽膜。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述磷掺杂为磷注入。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤4)中的碱制绒采用的溶液为质量浓度为1～2％的NaOH溶液。