[发明专利]一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物

权利要求书

1.一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，其结构为通式(I)所示：

其中，R₁-R₈分别独立地选自氢、烷基、杂烷基、芳基或杂芳基；

X₁、X₂分别独立地选自C或N。

2.根据权利要求1所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，X₁为C，X₂为N。

3.根据权利要求1所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物为CNCN四齿配体Pt络合物，其结构为通式(II)所示：

其中，A₁、A₂分别独立地选自O、S、Se、C、Si、N；

A₁、A₂上连接的R₉、R₁₀分别独立地是碳原子数小于60的取代基。

4.根据权利要求1所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，当A₁或A₂为C或N时，A₁、A₂上连接的R₉、R₁₀分别独立地为碳原子数小于30的取代基。

5.根据权利要求1所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，R₁和R₂为相同取代基，均选自碳原子数小于30的具有一定空间位阻的烷基、杂烷基、环烷基，芳基或杂芳基。

6.根据权利要求1所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，R₅和R₆为少于四个碳原子的供电子的烷基链。

7.根据权利要求1所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，R₄和R₇为少于10个碳原子的具有邻位取代的具有一定空间位阻的取代基。

8.根据权利要求1所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，R₃和R₈为少于四个碳原子的供电子的烷基链或者为H。

9.根据权利要求1所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其特征在于，所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物，其结构式选自如下结构：

10.一种含有如权利要求1-9中任意一项所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物的OLED材料或OLED器件。