[发明专利]一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备在审
申请号: | 201610064770.1 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN107022741A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 渠洪波 | 申请(专利权)人: | 沈阳科友真空技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pems 等离子体 增强 磁控溅射 镀膜 设备 | ||
1.一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,包括真空室、上盖升降机构和电源,所述真空室内设置有阴极钨丝、磁极板、磁控靶和工件台,所述阴极钨丝通过灯丝固定柱固定在所述真空室的顶端中心处,所述阴极钨丝围绕所述真空室的中心处有序排列,所述磁极板包括上磁极板和下磁极板,所述上磁极板设置在所述真空室的顶端,所述下磁极板设置在所述真空室的底端,所述工件台位于所述下磁极板的上方,所述磁控靶包括左磁控靶和右磁控靶,所述左磁控靶设置在所述真空室的左端,所述右磁控靶设置在所述真空室的右端,所述左磁控靶和所述右磁控靶相对设置。
2.如权利要求1所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述真空室的内壁上设置有多个磁铁,所述磁铁之间设置有磁铁隔板,所述磁铁的顶端与所述上磁极板连接,所述磁铁的底端与所述下磁极板连接,所述磁铁的内侧设置有内隔板,所述磁铁的外侧设置有外隔板,所述内隔板内侧设置有阳极筒。
3.如权利要求2所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述磁铁围绕所述真空室的内壁内侧呈圆周紧密排列,共四排,每个所述磁铁竖直放置,所述磁铁的上方为S极,所述磁铁的下方为N极,每两排所述磁铁之间由所述磁铁隔板相隔。
4.如权利要求3所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述真空室为圆筒型结构,所述真空室包括真空室上盖、真空室壁和真空室底板,为达到最佳冷却效果,所述真空室上盖、所述真空室壁和所述真空室底板均为双层水冷结构。
5.如权利要求4所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述电源包括偏压电源、等离子体增强电源和磁控靶电源,所述等离子体增强电源均与所述阴极钨丝连接,所述偏压电源与所述工件台连接,所述磁控靶电源包括左磁控靶电源和右磁控靶电源,所述左磁控靶电 源与所述左磁控靶连接,所述右磁控靶电源与所述右磁控靶连接。
6.如权利要求5所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述工件台的下端设置有移动导轨,能够电动移动,所述移动导轨上设置有行程位置指控装置,使代加工工件不仅可以往复移动,而且可以自转。
7.如权利要求6所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述真空室上盖上设置有阴极法兰,所述阴极钨丝设置在所述阴极法兰上,所述阴极钨丝共有十二根,每根所述阴极钨丝相对于所述真空室上盖、所述真空室壁圆心的距离均不相同,由此可在不同位置发射电子,使等离子体更加均匀,具有更大强度。
8.如权利要求7所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述上盖升降机构与所述真空室上盖连接,控制所述真空室上盖的上下移动。
9.如权利要求8所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述磁控靶为方形磁控靶,所述磁控靶的调节距离大于50mm,为达到最佳冷却效果,所述磁控靶还配置有水冷装置。
10.如权利要求9所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备,其特征在于,所述磁铁为永磁体或电磁体中的一种。
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