[发明专利]一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备

权利要求书

1.一种PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括真空室、上盖升降机构和电源，所述真空室内设置有阴极钨丝、磁极板、磁控靶和工件台，所述阴极钨丝通过灯丝固定柱固定在所述真空室的顶端中心处，所述阴极钨丝围绕所述真空室的中心处有序排列，所述磁极板包括上磁极板和下磁极板，所述上磁极板设置在所述真空室的顶端，所述下磁极板设置在所述真空室的底端，所述工件台位于所述下磁极板的上方，所述磁控靶包括左磁控靶和右磁控靶，所述左磁控靶设置在所述真空室的左端，所述右磁控靶设置在所述真空室的右端，所述左磁控靶和所述右磁控靶相对设置。

2.如权利要求1所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述真空室的内壁上设置有多个磁铁，所述磁铁之间设置有磁铁隔板，所述磁铁的顶端与所述上磁极板连接，所述磁铁的底端与所述下磁极板连接，所述磁铁的内侧设置有内隔板，所述磁铁的外侧设置有外隔板，所述内隔板内侧设置有阳极筒。

3.如权利要求2所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述磁铁围绕所述真空室的内壁内侧呈圆周紧密排列，共四排，每个所述磁铁竖直放置，所述磁铁的上方为S极，所述磁铁的下方为N极，每两排所述磁铁之间由所述磁铁隔板相隔。

4.如权利要求3所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述真空室为圆筒型结构，所述真空室包括真空室上盖、真空室壁和真空室底板，为达到最佳冷却效果，所述真空室上盖、所述真空室壁和所述真空室底板均为双层水冷结构。

5.如权利要求4所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述电源包括偏压电源、等离子体增强电源和磁控靶电源，所述等离子体增强电源均与所述阴极钨丝连接，所述偏压电源与所述工件台连接，所述磁控靶电源包括左磁控靶电源和右磁控靶电源，所述左磁控靶电 源与所述左磁控靶连接，所述右磁控靶电源与所述右磁控靶连接。

6.如权利要求5所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述工件台的下端设置有移动导轨，能够电动移动，所述移动导轨上设置有行程位置指控装置，使代加工工件不仅可以往复移动，而且可以自转。

7.如权利要求6所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述真空室上盖上设置有阴极法兰，所述阴极钨丝设置在所述阴极法兰上，所述阴极钨丝共有十二根，每根所述阴极钨丝相对于所述真空室上盖、所述真空室壁圆心的距离均不相同，由此可在不同位置发射电子，使等离子体更加均匀，具有更大强度。

8.如权利要求7所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述上盖升降机构与所述真空室上盖连接，控制所述真空室上盖的上下移动。

9.如权利要求8所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述磁控靶为方形磁控靶，所述磁控靶的调节距离大于50mm，为达到最佳冷却效果，所述磁控靶还配置有水冷装置。

10.如权利要求9所述的PEMS等离子体增强磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述磁铁为永磁体或电磁体中的一种。