[发明专利]发光器件

说明书

本发明涉及一种发光器件。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极电连接到第一导电类型半导体层；在发光结构层下面的绝缘支撑构件；以及在发光结构层和绝缘支撑构件之间的多个导电层。多个导电层中的至少一个具有大于发光结构层的宽度的宽度并且包括接触部分，该接触部分被布置为从发光结构层的侧壁进一步向外。

本申请是申请号为201110351842.8、申请日为2011年10月25日、标题为“发光器件”的专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及一种发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

由于它们的物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被关注作为发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的核心材料。这样的III-V族半导体可以由具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。

发光二极管(LED)是一种使用化合物半导体的特性将电能转化为红外线或者光以发送/接收转化的红外线或者光或者利用转化的红外线或者光作为光源的半导体器件。

使用半导体材料的LED或者LD被广泛地用于发光器件以产生光。例如，LED或者LD被用作诸如移动终端的键盘、电子器件板、以及照明装置的发光部分的各种产品的光源。

发明内容

实施例提供具有新颖的结构的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

实施例提供包括发光结构层下面的绝缘支撑构件和多个导电层的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

在一个实施例中，发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极电连接到第一导电类型半导体层；在发光结构层下面的绝缘支撑构件；以及在发光结构层和绝缘支撑构件之间的多个导电层，其中多个导电层中的至少一个具有大于发光结构层的宽度的宽度，并且包括接触部分，该接触部分被布置为从发光结构层的侧壁进一步向外。

在另一实施例中，发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极电连接到第一导电类型半导体层；在发光结构层下面的绝缘支撑构件；在发光结构层和支撑构件之间的多个导电层；以及在发光结构层和支撑构件之间的保护构件，其中多个导电层中的至少一个具有大于发光结构层的宽度的宽度，并且包括与第一电极相对应的第一接触部分。

在又一实施例中，发光器件封装包括：主体；在主体上的多个引线电极，所述多个引线电极包括第一和第二引线电极；在第二引线电极上的发光器件，发光器件电连接到第一和第二引线电极；以及模制构件，该模制构件覆盖发光器件，其中所述发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极电连接到第一导电类型半导体层；在发光结构层下面的绝缘支撑构件；以及在发光结构层和绝缘支撑构件之间的多个导电层，其中多个导电层中的至少一个具有大于发光结构层的宽度的宽度，并且包括接触部分，该接触部分被布置为从发光结构层的侧壁进一步向外。

在附图和下面的说明中阐述一个或多个实施例的细节。通过说明书和附图并且通过权利要求，其他特征将是显而易见的。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的侧截面图。