[发明专利]一种单根磁致伸缩微管制备方法有效

专利信息
申请号: 201610062761.9 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105714257B 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 张克维;傅丽玲;房大庆 申请(专利权)人: 太原科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 代理人: 江淑兰
地址: 030024 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 单根磁致 伸缩 微管 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于传感器装置技术领域,特别涉及一种单根磁致伸缩微管的制备方法。

背景技术

微纳米磁致伸缩材料在传感器领域具有广泛的应用,可以检测各种物理参数包括:应力,压力,温度,湿度,粘度,pH值等。这是因为磁致伸缩材料具有磁致伸缩效应,所谓磁致伸缩是指磁性材料在外磁场作用下,其内部磁畴结构发生变化,从而宏观表现为尺寸伸长或缩短的一种现象。在时变磁场下,磁致伸缩材料会发生受迫振动,当其固有频率与外界磁场频率相同时会发生谐振,其谐振频率可作为传感器的检测信号。外界的干扰如:质量载荷,会影响传感器的谐振频率。因此,磁致伸缩传感器也是一种质量传感器。质量灵敏度是表征其性能的一个重要参数,其定义为:单位载荷质量所引起的谐振频率的变化。显然,对于相同载荷质量,谐振频率变化越大,传感器灵敏度越高。由磁致伸缩传感器灵敏度公式可知,其灵敏度大小与其尺寸有关,相同长度的磁致伸缩传感器,体积越小其灵敏度越高。因此,与磁致伸缩线相比,磁致伸缩管体积更小,灵敏度更高。

磁致伸缩传感器可以是带状或棒状,通过甩带/丝法可制备出宽度5~10mm,厚度20~30µm磁致伸缩带(如: Metglas2826 MB)或者直径为10~300µm磁致伸缩丝。通过电化学沉积-模板法可以制备出尺寸更小的磁致伸缩微纳米线/管阵列,但却无法制备单根磁致伸缩微纳米线/管,限制了其在传感器领域的应用。

发明内容

为了提高传感器的灵敏度,提高磁致伸缩材料在传感器领域的广泛适用性,制备体积小、质量轻的单根磁致伸缩管,本发明提供一种单根磁致伸缩微管制备方法。

本发明通过以下技术方案予以实现。

一种单根磁致伸缩微管制备方法,其特征是:由以下步骤依次进行:

(一)、快速溶解镁合金芯上磁控溅射磁致伸缩层

1)、将快速溶解镁合金制成5~30mm长、直径为0.1~10µm的丝;

2)、将镁合金丝放置于磁控溅射仪腔体内的基座上,采用磁控溅射法,对镁合金丝表面溅射磁致伸缩薄膜,得到镁合金丝表面溅射有厚度为1~10µm厚的磁致伸缩薄膜

(二)、单根磁致伸缩管制备 将前步(一)制得的表面溅射有磁致伸缩层的镁合金丝放入97℃、质量分数为4%的KCl溶液中,待快速溶解镁合金丝完全溶解,得到内径为0.1~10µm,壁厚为1~10µm单根磁致伸缩管。

所述磁致伸缩薄膜为Fe-B磁致伸缩薄膜或者Tb-Fe磁致伸缩薄膜。

所述的磁控溅射所用靶材为磁性金属。

所述溅射仪腔体内初始真空度为0.08mbar。

本发明与现有技术相比具有以下有益效果。

1、可以制备1~10µm壁厚、5~30mm长度的磁致伸缩管,灵敏度较同长度和同直径的实心线材高5 .7倍,能更好地满足传感器灵敏度的使用要求。

2、直接成形微小的单根管,避免对微小的磁致伸缩切割造成管腔堵塞。

3、直接成形微小的单根管,提高了磁致伸缩微管的尺寸精度。

附图说明

图1为本发明整体结构示意图。

具体实施方式

实施例一

一种单根磁致伸缩微管制备方法,其特征是:由以下步骤依次进行:

一、快速溶解镁合金芯上磁控溅射磁致伸缩层

1)、将快速溶解镁合金制成5mm长、直径为10µm的丝;所述的快速溶解镁合金主要应用于石油钻井用憋压球材料,如魏辽等人于《多级滑套可溶解憋压球材料研究》(《石油机械》2015年第43卷第11期102-106页)所述,将熔融态快速溶解镁合金通过单孔直径为10µm的筛子,镁合金丝每伸出筛子5mm,对筛子表面进行一次剪切,即获得长度为5mm、直径为10μm的快速溶解镁合金丝。

2)、将镁合金丝放置于磁控溅射仪腔体内的基座上,采用参考文献“ Michael L .Johnson , Odum LeVar , Sang H . Yoon , Jung-Hyun Park , Shichu Huang , Dong-Joo Kim , Zhongyang Cheng , Bryan A . Chin,Dual-cathode method for sputtering magnetoelastic iron-boron films Vacuum,83 (2009) 958–964 .”中记载的磁控溅射法,

对镁合金丝表面溅射Fe-B磁致伸缩薄膜,具体步骤如下:

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