[发明专利]复合式硬盘的访问方法在审

专利信息
申请号: 201610061995.1 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN107025061A 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 刘淑敏;洪泗纹 申请(专利权)人: 后旺科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 代理人: 马廷昭
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 复合 硬盘 访问 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及复合式硬盘,尤其涉及复合式硬盘的访问方法。

背景技术

于现有的电子装置中,用户必须借由硬盘(Hard-disk Drive, HDD)来储存数字数据。

具体地,一般的7200转(Revolution Per Minute, RPM)的磁盘硬盘于随机存取处理下的IOPS(Input/Output Operations Per Second)平均值约为75 IOPS至100 IOPS,固态硬盘(Solid State Disk, SSD)于随机存取处理下的IOPS平均值约为20K IOPS至100K IOPS。由于固态硬盘的IOPS平均值远高于磁盘硬盘,因此磁盘硬盘已渐渐地被市场所淘汰。

上述的固态硬盘主要是以非挥发性内存所构成,然而,挥发性内存的存取效能实更胜于非挥发性内存。以双倍数据率同步动态随机存取内存(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, DDR SDRAM)为例,DDR SDRAM于随机存取处理下的IOPS平均值约为200K IOPS至260K IOPS。

有鉴于此,市场上即有人提出将固态硬盘(或磁盘硬盘)与DDR SDRAM整合为一体的混合式硬盘,该种混合式硬盘具有比传统单颗固态硬盘或单颗磁盘硬盘更快的数据访问速度。

目前所见的混合式硬盘,通常是于用户操作时,先将数据写入DDR SDRAM中,以得到快速的写入速度。并且,于计算机主机或该混合式硬盘断电前,再将DDR SDRAM中的数据写入固态硬盘中,以确保数据不会在断电后消失。

然而,随着数据量的提升,常常会出现DDR SDRAM的容量不足的现象。于此情况下,该混合式硬盘的控制器需直接将数据写入固态硬盘中,如此一来,将会造成数据的写入/读取速度大幅下降的问题,进而会带给使用者不佳的使用体验。

发明内容

有鉴于此,本发明的主要目的,在于提供一种复合式硬盘的访问方法,可降低主储存装置被主机存取的次数,同时提升复合式硬盘整体的访问速度。

为了达成上述的目的,本发明提供一种复合式硬盘的访问方法,该复合式硬盘包括一主储存装置及一快取储存装置,并且该访问方法包括:

a)接收一主机的数据,其中该复合式硬盘借由一主总线连接该主机并接收该数据;

b)将该数据写入该快取储存装置,其中该快取储存装置以挥发性内存构成;

c)判断该快取储存装置中的已储存数据的容量是否超过一门坎容量;及

d)若该已储存数据的容量超过该门坎容量,将超出部分的该已储存数据同步储存至该主储存装置。

如上所述,其中更包括下列步骤:

e)判断该快取储存装置是否已满;

f)若该快取储存装置已满,于该快取储存装置中删除部分的已同步数据;及

g)将该数据写入删除后的该快取储存装置。

如上所述,其中该快取储存装置以先进先出法(First In First Out, FIFO)写入该数据。

如上所述,其中该快取储存装置记录该已同步数据的使用率,并且于该步骤f中,该快取储存装置保留使用率高于一设定值的该已同步数据。

如上所述,其中更包括下列步骤:

h)判断该快取储存装置是否已满;

i)于该快取储存装置已满时,判断该快取储存装置中的已同步数据的数量是否大于一门坎值;及

j)若该已同步数据的数量大于该门坎值,于该快取储存装置中删除部分的该已同步数据,并将该数据写入删除后的该快取储存装置。

如上所述,其中更包括下列步骤:

k)该步骤i后,若该已同步数据的数量小于该门坎值,将该数据直接写入该主储存装置。

如上所述,其中该主储存装置为固态硬盘(Solid State Disk, SSD),该快取储存装置由双倍数据率同步动态随机存取内存(Double Data Rate Synchronorus Dynamic Random Access Memory, DDR SDRAM)构成。

如上所述,其中该门坎容量为该快取储存装置的总容量的一半。

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