[发明专利]一种少模光纤

权利要求书

1.一种少模光纤，其特征在于，包括：

纤芯以及包围所述纤芯的包层；所述纤芯的折射率为n₁；

所述包层包括：包围所述纤芯的下凹包层，折射率为n₂；包围所述下凹包层的第一上凸包层，折射率为n₃；包围所述第一上凸包层的第二上凸包层，折射率为n₄；包围所述第二上凸包层的外包层，折射率为n₅；

其中，所述纤芯、所述下凹包层、所述第一上凸包层、所述第二上凸包层以及所述外包层的折射率大小满足：n₁＞n₃＞n₄＞n₅＞n₂；所述纤芯与所述下凹包层之间满足：F＝8.0μm～10.0μm，其中，F＝2(0.65+1.62V^-3/2+2.88V^-6)a₁，V表示归一化频率，λ₀＝1310nm，2.9<V<5；其中，a₁表示所述纤芯的半径。

2.根据权利要求1所述的少模光纤，其特征在于，所述光纤的截止波长大于1.625μm。

3.根据权利要求1所述的少模光纤，其特征在于，所述第一上凸包层的折射率满足：n₃＜n₀₁/(1+0.78d_c/R_b)，其中，n₀₁＝n₂(1+(1.1428-0.9960/V)²(n₁-n₂)/n₁))，并且归一化频率定义d_c为所述第一上凸包层的中心位置与所述纤芯中心之间的距离，且d_c＝a₁+a₂+a₃/2；R_b＝7.5mm；其中，a₂，a₃分别表示所述下凹包层和所述第一上凸包层的径向宽度。

4.根据权利要求1所述的少模光纤，其特征在于，所述下凹包层与所述纤芯的折射率差值满足：0.015≥n₁-n₂≥0.0051；所述下凹包层与所述第一上凸包层的折射率差值满足：0.006≥n₃-n₂≥0.0015；所述第一上凸包层与所述第二上凸包层的折射率差值满足：0.002≥n₃-n₄＞0；所述下凹包层与所述外包层的折射率差值满足：0.004≥n₅-n₂≥0.001。

5.根据权利要求1所述的少模光纤，其特征在于，所述纤芯的半径满足：7.5μm≥a₁≥4μm；所述下凹包层的径向宽度满足：8.5μm≥a₂≥3.6μm；所述第一上凸包层的径向宽度满足：15μm≥a₃≥5.5μm。

6.根据权利要求5所述的少模光纤，其特征在于，所述第一上凸包层与所述第二上凸包层的径向宽度之间满足：4≥a₃/a₄≥2；其中，a₄表示所述第二上凸包层的径向宽度。

7.根据权利要求6所述的少模光纤，其特征在于，所述第二上凸包层采用抛物线结构，所述第二上凸包层的折射率分布沿所述光纤径向r的折射率分布满足：

其中，a₁+a₂+a₃+a₄≥r≥a₁+a₂+a₃。