[发明专利]液晶显示面板及其制作方法在审
申请号: | 201610058376.7 | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN105527769A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 李文辉;史文;石龙强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括薄膜晶体管及设置在所述薄膜晶体管表面的栅极引 出部、源极引出部及漏极引出部,所述栅极引出部与所述薄膜晶体管的栅极电连接, 所述源极引出部与所述薄膜晶体管的源极电连接,所述漏极引出部与所述薄膜晶体管 的漏极电连接,所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部可与外部测试装置连接, 以监测所述薄膜晶体管的电性。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述源极引出部或漏极引出部其中之 一为像素电极。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述栅极引出部穿过由薄膜晶体管表 面贯穿至栅极的第一通孔与所述栅极电连接,所述源极引出部穿过由薄膜晶体管表面 贯穿至源极的第二通孔与所述源极电连接,所述漏极引出部穿过由薄膜晶体管表面贯 穿至漏极的第三通孔与所述漏极电连接。
4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述薄膜晶体管为底栅结构。
5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述薄膜晶体管包括所述栅极、覆盖 所述栅极的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层表面的半导体层,与所述半导体层接 触的所述源极和漏极,覆盖所述第一绝缘层、源极和漏极及半导体层的第二绝缘层, 所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部设置在所述第二绝缘层表面。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述栅极引出部、源极引出部及漏极 引出部由氧化铟锡材料制成。
7.一种显示装置,其特征在于,包括多个权利要求1~6任一项所述的像素结构。
8.一种监测权利要求1所述的像素结构的电性的方法,其特征在于,采用测试装置分别 电连接至栅极引出部、源极引出部及漏极引出部,并对栅极、源极及漏极进行电学测 量,以实时监测栅极、源极和漏极的电性。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述测试装置具有多个探针,所述探针分 别与所述栅极引出部、源极引出部及漏极引出部接触,以实时监测栅极、源极和漏极 的电性。
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