[发明专利]一种小尺寸片式热敏电阻及其制作方法有效
申请号: | 201610057357.2 | 申请日: | 2016-01-27 |
公开(公告)号: | CN105679478B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 包汉青;杨发强;黄飞;袁仲宁;李瑞清;李方明 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | H01C17/02 | 分类号: | H01C17/02;H01C17/28;H01C7/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 方艳平 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 片式热敏电阻 热敏电阻芯片 热敏陶瓷 导电端 导电电极层 玻璃层 制作 磁控溅射工艺 薄片切割 玻璃浆料 技术瓶颈 烧结 包覆 溅射 去除 制备 | ||
本发明公开了一种小尺寸片式热敏电阻及其制作方法,制作方法包括:准备热敏陶瓷薄片,热敏陶瓷薄片的厚度等于小尺寸片式热敏电阻的两导电端之间的距离;在热敏陶瓷薄片的两面采用磁控溅射工艺溅射形成第一导电电极层;将热敏陶瓷薄片切割成与小尺寸片式热敏电阻相同尺寸的热敏电阻芯片,热敏陶瓷薄片的两面对应为热敏电阻芯片的两导电端;在热敏电阻芯片上包覆一层玻璃浆料,烧结形成玻璃层;去除热敏电阻芯片的两导电端上的玻璃层以露出第一导电电极层;在热敏电阻芯片的两导电端上形成第二导电电极层,形成小尺寸片式热敏电阻。本发明提出的小尺寸片式热敏电阻及其制作方法解决了采用现有技术制备片式热敏电阻在小型化后遇到的技术瓶颈。
技术领域
本发明涉及片式热敏电阻,尤其涉及一种小尺寸片式热敏电阻及其制作方法。
背景技术
近年来随着智能手机、智能穿戴功能越来越强,要求元器件尺寸越来越小,一些智能手机、智能穿戴等电子设备逐渐趋向于采用英制0201和01005尺寸以下的被动元器件。而片式热敏电阻在小型化中遇到几大技术瓶颈,主要有:第一,因为导电端面积过小(不超过0.08mm2)导致陶瓷与银电极欧姆接触很差,导致电气性能无法达标或极度分散;第二,因为体积只有原来最小规格0402的八分之一,表面均匀涂覆一层保护玻璃层技术难度极高,传统涂覆工艺根本无法实现,陶瓷玻璃保护层不良会导致产品经过电镀液、酸性环境中很快劣化。
发明内容
为解决片式热敏电阻小型化后遇到的技术瓶颈,本发明提出一种小尺寸片式热敏电阻及其制作方法。
为达到上述目的,本发明采用以下技术方案:
本发明公开了一种小尺寸片式热敏电阻的制作方法,包括:
S1:准备热敏陶瓷薄片,其中所述热敏陶瓷薄片的厚度等于所述小尺寸片式热敏电阻的两导电端之间的距离;
S2:在所述热敏陶瓷薄片的两面采用磁控溅射工艺溅射形成第一导电电极层;
S3:将所述热敏陶瓷薄片切割成与所述小尺寸片式热敏电阻相同尺寸的热敏电阻芯片,其中所述热敏陶瓷薄片的两面对应为所述热敏电阻芯片的两导电端;
S4:在所述热敏电阻芯片上包覆一层玻璃浆料,烧结形成玻璃层;
S5:去除所述热敏电阻芯片的两导电端上的所述玻璃层以露出所述第一导电电极层;
S6:在所述热敏电阻芯片的两导电端上形成第二导电电极层,形成所述小尺寸片式热敏电阻。
优选地,步骤S2中所述磁控溅射工艺中溅射的靶材为Au、Ag、Ni或Cu。
优选地,所述第一导电电极层的厚度为3~7μm。
优选地,步骤S4中具体包括:采用包糖衣的工艺在所述热敏电阻芯片的六面上包覆一层均匀的玻璃浆料并烧结形成玻璃层。
优选地,在所述包糖衣的工艺过程中,包糖衣机的转速为20~30r/min,气流压力为4~6MPa。
优选地,步骤S5中具体包括:采用喷砂工艺将所述热敏电阻芯片的两导电端上的玻璃层去除以露出所述第一导电电极层。
优选地,所述喷砂工艺的过程中,喷砂压力为20~25MPa,沙粒粒度在50~100μm。
优选地,所述第二导电电极层包括Ag电极层、Ni电极层和Sn电极层,步骤S6中具体包括:在所述热敏电阻芯片的两导电端上粘结Ag浆并烧结后形成所述Ag电极层,然后在所述Ag电极层上依次电镀所述Ni电极层和所述Sn电极层,形成所述小尺寸片式热敏电阻。
本发明还公开了一种小尺寸片式热敏电阻,是由上述的制作方法制得的所述小尺寸片式热敏电阻。
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