[发明专利]一种TFT基板、显示装置以及制造方法

权利要求书

1.一种TFT基板，其特征在于，包括基板以及形成在所述基板上 的第一TFT结构和第二TFT结构，其中所述第一TFT结构包括第一栅 极图案和第一半导体图案，所述第一半导体图案划分为第一沟道区以及 位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，所述第一 沟道区与所述第一栅极图案对应设置，进而能够在所述第一栅极图案的 作用下形成第一导电沟道，所述第一掺杂区延伸至所述第二TFT结构内 并作为所述第二TFT结构的第二栅极图案。

2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第二TFT 结构进一步包括第二半导体图案，所述第二半导体图案划分为第二沟道 区以及位于所述第二沟道区两侧的第三掺杂区和第四掺杂区，所述第二 沟道区与所述第一掺杂区延伸至所述第二TFT结构内的部分对应设置， 进而能够在所述第一掺杂区的作用下形成第二导电沟道。

3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一沟道 区与所述第一栅极图案至少部分设置，所述第二沟道区与所述第一掺杂 区延伸至所述第二TFT结构内的部分至少部分重叠设置。

4.根据权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述第一半导 体图案和第二半导体图案在长度方向彼此垂直，以使得所述第三掺杂区 和第四掺杂区在所述基板上的投影分别位于所述第一掺杂区在所述基 板上的投影的两侧。

5.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一栅极 图案位于所述基板与所述第一半导体图案之间，所述第一TFT结构和第 二TFT结构进一步包括用于间隔所述第一栅极图案与所述第一半导体 图案的第一绝缘层、用于间隔所述第一半导体图案与所述第二半导体图 案的第二绝缘层以及用于覆盖所述第二半导体图案和所述第二绝缘层 的第三绝缘层；

所述第一TFT结构进一步包括形成于所述第三绝缘层上的第一源 极/漏极图案，所述第一TFT结构进一步设置有贯穿所述第三绝缘层和 所述第二绝缘层的第一通孔，所述第一源极/漏极图案经所述第一通孔与 所述第二掺杂区电性接触；

所述第二TFT结构进一步包括形成于所述第三绝缘层上的第二源 极/漏极图案和第三源极/漏极图案；所述第二TFT结构进一步设置有贯 穿所述第三绝缘层的第二通孔和第三通孔，所述第二源极/漏极图案和第 三源极/漏极图案分别经所述第二通孔和第三通孔与所述第三掺杂区和 第四掺杂区电性接触。

6.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一栅极 图案位于所述第一半导体图案远离所述基板的一侧，所述第一TFT结构 和第二TFT结构进一步包括用于间隔所述第一栅极图案与所述第一半 导体图案的第一绝缘层、用于间隔所述第一栅极图案与所述第二半导体 图案的第二绝缘层以及用于覆盖所述第二半导体图案和所述第二绝缘 层的第三绝缘层；

所述第一TFT结构进一步包括形成于所述第三绝缘层上的第一源 极/漏极图案，所述第一TFT结构进一步设置有贯穿所述第三绝缘层、 所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一通孔，所述第一源极/漏极图案 经所述第一通孔与所述第二掺杂区电性接触；

所述第二TFT结构进一步包括形成于所述第三绝缘层上的第二源 极/漏极图案和第三源极/漏极图案；所述第二TFT结构进一步设置有贯 穿所述第三绝缘层的第二通孔和第三通孔，所述第二源极/漏极图案和第 三源极/漏极图案分别经所述第二通孔和第三通孔与所述第三掺杂区和 第四掺杂区电性接触。

7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括根据权利要求 1-6任意一项所述的TFT基板。