[发明专利]一种形成硅外延层的方法有效
| 申请号： | 201610056974.0 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702621B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;陆智勇;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 外延 方法 | ||
1.一种形成硅外延层的方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供一形成有接触孔的半导体结构；
步骤S2，于所述接触孔的侧壁表面形成第一硅层和覆盖所述第一硅层的第一氧化层；
步骤S3，于所述接触孔的底部形成第二硅层；
步骤S4，于移除所述第一氧化层之后，对所述第一硅层和所述第二硅层进行氧化工艺，以将所述第一硅层全部氧化为二氧化硅，将所述第二硅层部分氧化为二氧化硅；
其中，所述第二硅层中未被氧化的部分形成所述硅外延层。
2.如权利要求1所述的形成硅外延层的方法，其特征在于，所述方法还包括：
步骤S5，继续于所述接触孔的底部及侧壁形成氮化硅层和充满所述接触孔的遂穿氧化层。
3.如权利要求1所述的形成硅外延层的方法，其特征在于，应用于3D NAND结构的制备工艺中。
4.如权利要求3所述的形成硅外延层的方法，其特征在于，形成所述半导体结构的步骤包括：
提供一硅衬底；
于所述硅衬底之上形成若干存储层与介质层依次层叠的层叠结构；
于所述层叠结构之上形成插塞氧化层；
按照从上至下的顺序依次刻蚀插塞氧化层、层叠结构至所述硅衬底停止以形成所述接触孔。
5.如权利要求4所述的形成硅外延层的方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用外延生长的方法于所述接触孔的底部形成所述第二硅层。
6.如权利要求4所述的形成硅外延层的方法，其特征在于，所述介质层为氧化物。
7.如权利要求1所述的形成硅外延层的方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
步骤S21，于所述接触孔的表面形成第一硅层；
步骤S22，于所述第一硅层的表面形成第一氧化层；
步骤S23，依次去除位于覆盖在所述接触孔底部表面的第一氧化层和第一硅层，以形成仅覆盖所述接触孔侧壁表面的所述第一硅层和所述第一氧化层。
8.如权利要求7所述的形成硅外延层的方法，其特征在于，所述步骤S22中，采用原子层沉积的方法于所述第一硅层的表面形成所述第一氧化层。
9.如权利要求7所述的形成硅外延层的方法，其特征在于，所述步骤S22中，采用干法刻蚀的方法依次去除位于覆盖在所述接触孔底部表面的第一氧化层和第一硅层，以形成仅覆盖所述接触孔侧壁表面的所述第一硅层和所述第一氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
