[发明专利]一种新型分布式存储缓存加速方法在审
申请号: | 201610056765.6 | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN107015758A | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 胡敏 | 申请(专利权)人: | 胡敏 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410004 湖南省长沙市天心区湘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 分布式 存储 缓存 加速 方法 | ||
1.一种新型分布式存储缓存加速方法,其特征在于,该方法中的分布式存储节点1(12a)内需安装配置NVDIMM缓存(10a),分布式存储节点2(12b)内需安装配置NVDIMM缓存(10b),分布式存储节点3(12c)内需安装配置NVDIMM缓存(10c),同时NVDIMM缓存(10a)需配备超级电容(13a),NVDIMM缓存(10b)需配备超级电容(13ab),NVDIMM缓存(10c)需配备超级电容(13c)。
2.根据权利要求1所述的一种新型分布式存储缓存加速方法,其特征在于,当数据块1(11a)、数据块2(11b)和数据块3(11c)有写入请求时,数据块1(11a)写入NVDIMM缓存(10a)后,NVDIMM缓存(10a)将数据块1(11a)同步写入NVDIMM缓存(10b),同步完成后返回应用写完成;数据块2(11b)写入NVDIMM缓存(10b)后,NVDIMM缓存(10b)将数据块2(11b)同步写入NVDIMM缓存(10c),同步完成后返回应用写完成;数据块3(11c)写入NVDIMM缓存(10c)后,NVDIMM缓存(10c)将数据块3(11c)同步写入NVDIMM缓存(10a),同步完成后返回应用写完成。写入同步完成后,NVDIMM缓存(10a)会把数据块1(11a)和数据块3(11c)顺序写入分布式存储节点1(12a)内;NVDIMM缓存(10b)会把数据块1(11a)和数据块2(11b)顺序写入分布式存储节点2(12b)内;NVDIMM缓存(10c)会把数据块2(11b)和数据块3(11c)顺序写入分布式存储节点3(12c)内。
3.根据权利要求1所述的一种新型分布式存储缓存加速方法,其特征在于,分布式存储节点平台需支持NVDIMM产品和技术。
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