[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，提供一基板(10)，并在所述基板(10)上依次形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)、刻蚀阻挡层(50)、源极(51)和漏极(52)；然后，在所述源极(51)、漏极(52)、及刻蚀阻挡层(50)上形成钝化层(60)并在同一道光刻制程中对所述钝化层(60)和刻蚀阻挡层(50)进行图案化处理，具体包括：

步骤71、在所述钝化层(60)上涂布一光阻层(70)；

步骤72、采用一半色调光罩(80)对所述光阻层(70)进行曝光、显影；

步骤73、通过至少两次干蚀刻制程对所述光阻层(70)、及钝化层(60)进行蚀刻，使所述钝化层(60)上形成裸露出部分源极(51)的第一过孔(63)和位于源极(51)与漏极(52)之间且宽度大于源极(51)与漏极(52)之间间隔以裸露出刻蚀阻挡层(50)及部分源极(51)与漏极(52)的缺口(68)；

同时，在所述刻蚀阻挡层(50)上通过所述缺口(68)裸露出的区域上形成用于与所述有源层(40)连通的第二过孔(53)与第三过孔(54)；

步骤74、剥离所述钝化层(60)上残留的光阻层(70)。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，完成所述步骤74后，在所述钝化层(60)、源极(51)、漏极(52)、及刻蚀阻挡层(50)上形成透明导电层，通过光刻制程对所述透明导电层进行图案化处理，得到间断设置的像素电极(91)、第一连接层(92)、及第二连接层(93)；

所述像素电极(91)通过第一过孔(63)与源极(51)相连；

所述源极(51)通过所述第一连接层(92)和所述步骤73中形成于所述刻蚀阻挡层(50)上的第二过孔(53)与所述有源层(40)相连；

所述漏极(52)通过所述第二连接层(93)和所述步骤73中形成于所述刻蚀阻挡层(50)上的第三过孔(54)与有源层(40)相连。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤73中形成的所述缺口(68)的宽度大于源极(51)与漏极(52)之间的间隔，从而暴露出部分源极(51)和部分漏极(52)。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半色调光罩(80)上设有对应于所述源极(51)上方的第一半透明图案(81)，对应于所述源极(51)与漏极(52)之间的第二、第三、第四半透明图案(82、83、84)，位于所述第二、第三半透明图案(82、83)之间的第一完全透明图案(85)，以及位于第三、第四半透明图案(83、84)之间的第二完全透明图案(86)。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)、刻蚀阻挡层(50)、源极(51)、漏极(52)、及钝化层(60)的制作过程包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成第一金属层，通过光刻制程对所述第一金属层进行图案化处理，得到栅极(20)；

步骤2、在所述栅极(20)、及基板(10)上形成栅极绝缘层(30)；

步骤3、在所述栅极绝缘层(30)上形成氧化物半导体层，通过光刻制程对所述氧化物半导体层进行图案化处理，得到对应于所述栅极(20)上方的有源层(40)；

步骤4、在所述有源层(40)、及栅极绝缘层(30)上形成刻蚀阻挡层(50)；

步骤5、在所述刻蚀阻挡层(50)上形成第二金属层，通过光刻制程对所述第二金属层进行图案化处理，得到分别对应于所述有源层(40)两侧的源极(51)与漏极(52)；

步骤6、在所述源极(51)、漏极(52)、及刻蚀阻挡层(50)上形成钝化层(60)。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，采用物理气相沉积方法形成第一金属层；所述步骤2中，采用化学气相沉积方法形成栅极绝缘层(30)；所述步骤3中，采用物理气相沉积方法形成氧化物半导体层；所述步骤4中，采用化学气相沉积方法形成刻蚀阻挡层(50)；所述步骤5中，采用物理气相沉积方法形成第二金属层。