[发明专利]水溶液晶体一体化生长炉

权利要求书

1.水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：

包括生长缸、储料仓、定量滴定器、温控系统和晶体生长总承；

所述生长缸为内壁光滑的密闭容器，所述生长缸内壁的上部设有一个环状的集水槽，并在集水槽底部引出一出水管，在所述出水管上设置有流量控制计；

在生长缸外部固定一环形的储料仓，并在所述储料仓和生长缸之间形成一个密闭的空间，所述空间内填充晶体生长所需的原料，所述储料仓顶部具有一投料用并对所述空间进行密封的压盖，所述压盖中设置稀释皿，所述稀释皿上设置有密封盖并形成一个密闭的稀释用腔体；

自所述储料仓中引出一水位压力管，且在所述水位压力管和出水管之间设置一将所述集水槽中冷凝水排向储料仓的定量滴定器；

初次补液管位于储料仓内且下端位于储料仓的底部，上端与稀释皿连通；二次补液管一端位于生长缸内且与缸内溶液不接触，另一端与稀释皿连通，一溢流管将所述集水槽和稀释皿连通；

一排气管将所述储料仓内腔和所述生长缸连通并建立大气压平衡回路；

所述温控系统用于监测并控制生长缸内液体的温度。

2.根据权利要求1所述的水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：所述定量滴定器为连接在水位压力管和出水管之间的泵。

3.根据权利要求1所述的水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：所述定量滴定器为重力式控制结构，所述出水管上安装旋柄且可旋转，且在所述水位压力管的顶部设置一个对出水管出水进行收集的连接部件。

4.根据权利要求2或3所述的水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：所述储料仓与生长缸同圆心布置，且所述空间为均匀一致的环形。

5.根据权利要求1所述的水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：所述温控系统包括温度探头、加热器和保温层，所述温度探头通过橡胶塞安装于生长缸的上部，且所述温度探头的下端伸入到生长缸的液面以下，所述加热器对生长缸或/和储料仓进行加热，所述生长缸和储料仓的外表面设置有保温层。

6.根据权利要求5所述的水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：所述加热器为电加热器。

7.根据权利要求5所述的水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：所述温控系统还包括设置在所述储料仓的下部的测温计。

8.根据权利要求1所述的水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：所述的晶体生长总承包括电机和育晶架，所述电机设置于生长缸的顶部，所述育晶架的上端穿过生长缸后与电机相连，其下端伸入到生长缸的液面以下。