[发明专利]一种混合硬盘的缓存结构及方法在审
| 申请号： | 201610053854.5 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105739921A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 混合 硬盘 缓存 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种混合硬盘的缓存结构，其特征在于，包括主硬盘和与之相连的主硬盘的缓存器，所述缓存器包括读缓存器和写缓存器，所述读缓存器的数据读性能优于所述主硬盘，所述写缓存器的数据写性能远优于所述读缓存器和主硬盘，当需对所述主硬盘进行读写操作时，读数据缓存于所述读缓存器中，写数据缓存于所述写缓存器中。
2.根据权利要求1所述的混合硬盘的缓存结构，其特征在于，所述主硬盘为机械硬盘。
3.根据权利要求1所述的混合硬盘的缓存结构，其特征在于，所述读缓存器为NAND存储器。
4.根据权利要求3所述的混合硬盘的缓存结构，其特征在于，所述NAND存储器中包括单层单元型NAND芯片、双层单元型NAND芯片、三层单元型NAND芯片、3D-NAND型芯片中的一种或多种存储芯片。
5.根据权利要求1所述的混合硬盘的缓存结构，其特征在于，所述写缓存器为相变存储器、磁性随机存储器、阻变式存储器或铁电存储器。
6.一种混合硬盘的缓存方法，包括根据权利要求1至5中任一项所述的混合硬盘的缓存结构，其特征在于，所述方法包括将从主硬盘中读取的数据先缓存到读缓存器中，将写回主硬盘的数据先缓存到写缓存器中，通过所述读缓存器和所述写缓存器实现对所述主硬盘进行读写操作。
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