[发明专利]基于柔性金属基带的CeO2-x纳米薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种基于柔性金属基带的CeO_2-x纳米薄膜，其特征在于，所述CeO_2-x纳米薄膜为多 种形貌及取向，所述CeO_2-x纳米薄膜的结构为阵列状排布的纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的基于柔性金属基带的CeO_2-x纳米薄膜，其特征是，所述CeO_2-x纳米薄膜包括金属基底、织构层、CeO_2-x功能层。

3.根据权利要求1所述的基于柔性金属基带的CeO2-x纳米薄膜，其特征是，所述纳 米颗粒的形状为棒状，片状，多个纳米片组成的团簇状，星状，或多边形结构。

4.根据权利要求1所述的基于柔性金属基带的CeO_2-x纳米薄膜，其特征是，所述CeO_2-x纳米薄膜的取向为(001)，(110)，(111)或前述取向的组合。

5.一种如权利要求1所述的基于柔性金属基带的CeO_2-x纳米薄膜的制备方法，其特征 在于，包括如下步骤：

步骤1，取金属基带并安装到传动装置上，取CeO_2-x靶材并安装到靶台，之后将镀膜 设备抽真空；其中所述金属基带上生长有一定取向织构层；

步骤2，调整镀膜区的温度至生长温度；采用激光脉冲沉积法或磁控溅射沉积法；之 后通入氧气；镀膜系统传送装置带动金属基带，使得金属基带通过镀膜区，即在金属基 带的织构层的表面形成CeO_2-x功能层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征是，步骤1中，所述CeO_2-x靶材至镀膜区 的距离为5-25cm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征是，步骤2中，所述生长温度为450～ 650℃。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征是，步骤2中，所述CeO_2-x功能层的厚度 为10～2000nm。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征是，步骤2中，通入氧气之前，镀膜区 真空状态；通入氧气后，镀膜区气压为5～200mTorr。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征是，所述真空状态气压为1×10^-4～1 ×10^-7Torr。

11.根据权利要求5所述的制备方法，其特征是，步骤2中，所述采用激光脉冲沉积 法具体为，调节PLD的激光能量和频率，所述激光能量和频率具体为：E＝50～300mJ， f＝10～200Hz。

12.根据权利要求5所述的制备方法，其特征是，所述金属基带通过镀膜区的次数为 一次或多次，具体为：以1～10m/h的速度一次通过镀膜区，或者以5～50m/h的速度通过 多通道镀膜区。

13.根据权利要求5所述的制备方法，其特征是，所述磁控溅射沉积法具体为，将镀 有织构层的金属基带缠绕设置在磁控溅射镀膜系统内，通入氩气，控制溅射功率，金属 基带通过多道镀膜区，即可在织构层的表面形成CeO_2-x功能层；所述溅射功率具体为50～ 1000W，所述通过的速度为1～200m/h。