[发明专利]一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统有效
申请号: | 201610053449.3 | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN105740526B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 曹鹤;陈岚;张贺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;江怀勤 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冗余 金属 填充 区域 版图 处理 方法 系统 | ||
1.一种冗余金属填充区域版图的处理方法,其特征在于,包括步骤:
确定化学机械平坦化CMP工艺产生工艺缺陷的条件;
根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定待填充区域;
将所述待填充区域分解为简单几何图形,所述简单几何图形包括以下一种或多种:矩形、三角形及其组合;
根据各简单几何图形的几何信息生成待填充版图;
所述根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定待填充区域包括:
根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定产生缺陷的间距阈值L;
将不可填充区域边界外扩L/2,获取外扩区域;
进行布尔运算取反,获取参考待填充区域;
将参考待填充区域边界外扩L/2,获取待填充区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定化学机械平坦化CMP工艺产生工艺缺陷的条件包括:
预先构建CMP预测模型,所述CMP预测模型的输入至少包括CMP工艺前芯片表面形貌和CMP工艺参数,所述CMP预测模型的输出至少包括所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件;
确定CMP工艺前芯片表面形貌;
确定CMP工艺参数;
根据所述CMP工艺前芯片表面形貌和所述CMP工艺参数,通过所述CMP预测模型,获取所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述待填充区域分解为简单几何图形包括:
判断所述待填充区域是否为含有至少一个孔洞的图形,若是,则将所述待填充区域处理为无孔洞图形;
判断无孔洞的待填充区域/所述无孔洞图形是否为多边形,若是,则将无孔洞的待填充区域/所述无孔洞图形分解为四边形、三角形及其组合,其中所述多边形的边数≥5;
将所有四边形分解为矩形、三角形及其组合。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述判断所述待填充区域是否为含有至少一个孔洞的图形,若是,则将所述待填充区域处理为无孔洞图形包括:
判断所述待填充区域是否存在内点,若是,则所述待填充区域为含有至少一个孔洞的图形;
通过法线分割法/延长线法将所述待填充区域分割为无孔洞图形。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述将无孔洞待填充区域/所述无孔洞图形分解为四边形、三角形及其组合包括:
a.将无孔洞的待填充区域/所述无孔洞图形的任意一个顶点作为起始点;
b.判断以起始点为顶角的相邻三个顶点构成角是否为内凹角,若是,则通过法线分割法将无孔洞的待填充区域/所述无孔洞图形分解为无内凹角的多个图形;
c.否则,以所述相邻三个顶点做平行四边形,并与无孔洞无内凹角的待填充区域/无内凹角无孔洞图形/无内凹角的多个图形做交运算;
d.判断交运算得到的交集是否为四边形,且第四点位于无孔洞无内凹角的待填充区域/无内凹角无孔洞图形/无内凹角的多个图形以外,若是,则将该交集的四边形分割出来,并将下一个顶点作为起始点,若否,则以下一个顶点作为起始点;
重复步骤b到步骤d直至将无孔洞的待填充区域/所述无孔洞图形分解为四边形、三角形及其组合。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,所述法线分割法包括:
1.做两个相邻内点构成一边的两端/内凹角任意一边的两端的法线;
2.将两端的法线内包含的部分图形从原图形中分割出来;
判断分割后的各图形是否为含有至少一个孔洞/内凹角的图形,若是,则重复步骤1至步骤2,直至分割后的各图形为不含有孔洞/内凹角的图形。
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