[发明专利]半导体集成电路器件

说明书

本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：一对互补信号线；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述一对互补信号线中的一条，以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个耦合到所述一对互补信号线中的另一条，其中所述第一晶体管的栅极宽度的方向不同于所述第二晶体管的栅极宽度的方向。

本申请是2012年4月12日提交的申请号为201210106969.8、发明名称为“半导体集成电路器件”之申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

通过引用将2011年4月12日提交的日本专利申请No.2011-087972的包括说明书、权利要求、附图和摘要的公开整体并入这里。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路器件，并且特别地涉及具有形成在同一扩散层上的多个晶体管的半导体集成电路器件。

背景技术

在半导体集成电路器件中，电路面积的减少直接导致制造成本的减少。特别地，在半导体存储器件等的情况下，当能够即使略微地减少在同一布局图案中重复使用的电路部分的面积时，也能够获得减少成本的显著效果。

在动态半导体存储器件中重复地使用读出放大器电路作为电路部分。在动态半导体存储器件中，多个读出放大器电路耦合到其中以矩阵形式布置存储器单元的存储器单元阵列。图1是示出一般的动态半导体存储器件中的一个读出放大器电路的构造的电路图。

参考图1中的读出放大器电路的组成元件，读出放大器电路包括第一位线BLT、第二位线BLN、读出放大器SA、预充电/平衡器件Q、均衡信号输入部分EQ和半电源电压输入部分HVC。预充电/平衡器件Q包括：作为平衡器件的第一晶体管Q1、作为第一预充电器件的第二晶体管Q2以及作为第二预充电器件的第三晶体管Q3。使用简单的触发电路作为最普通的读出放大器SA。

将描述图1中的读出放大器电路中的组成元件的耦合关系。读出放大器SA的一端耦合到第一位线BLT。读出放大器SA的另一端耦合到第二位线BLN。第一晶体管Q1的源极和漏极中的一个耦合到第一位线BLT。第一晶体管Q1的源极和漏极中的另一个耦合到第二位线BLN。第一至第三晶体管Q1至Q3的各自的栅极公共地耦合到均衡信号输入部分EQ。第二晶体管Q2的源极和漏极中的一个耦合到第一位线BLT。第三晶体管Q3的源极和漏极中的一个耦合到第二位线BLN。第二和第三晶体管Q2和Q3的各自的源极和漏极中的另一个耦合到半电源电压输入部分HVC。

将简要地描述图1中所示的读出放大器电路的操作。首先，取决于耦合到其位线中的一个并且由字线选择的存储器单元的状态来决定第一和第二位线BLT和BLN之间的电势差。

半电源电压输入部分HVC将是电源电压VCC的一半的半电源电压提供到第二和第三晶体管Q2和Q3的源漏耦合部分。结果，第二和第三晶体管Q2和Q3将半电源电压预充电到第一和第二位线BLT和BLN。由于第二和第三晶体管Q2和Q3作为两个预充电器件来操作，因此，它们通常被设计为栅极宽度的尺寸相同并且布局对称。

最终，读出放大器SA分别根据第一和第二位线BLT和BLN的电势与半电源电压之间的差而将第一和第二位线BLT和BLN的电压放大到互补电势。