[发明专利]一种阵列基板、液晶面板及显示装置有效
申请号: | 201610049527.2 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105487310B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 严允晟;李会 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、液晶面板及显示装置,以改善像素漏光现象,提高显示装置的显示品质。阵列基板包括由栅线和数据线界定的呈阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包括像素电极,像素电极包括呈梳状排列的多个电极条,电极条与第一偏光片的偏振轴的夹角α满足:0≤α≤40°,电极条与第二偏光片的偏振轴的夹角β满足:50°≤β≤90°;或者电极条与第一偏光片的偏振轴的夹角α满足:50°≤α≤90°,电极条与第二偏光片的偏振轴的夹角β满足:0≤β≤40°。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板、液晶面板及显示装置。
背景技术
目前,TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)的显示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(VerticalAlignment,垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching,平面方向转换)模式和ADS(ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换)模式等。
其中,VA模式一般采用介电常数各向异性为负的液晶物质。液晶面板的入射偏光片和出射偏光片的偏振轴正交设置,在不施加电压时,液晶分子垂直于基板表面排列,线偏振光被出射偏光片阻挡,显示画面呈暗态;在施加电压后,液晶分子产生偏转,线偏振光发生双折射变为椭圆偏振光,这样一部分光可以从出射偏振片射出,显示画面呈亮态。
现有的VA模式液晶面板一般包括对盒设置的阵列基板和对向基板、位于阵列基板和对向基板之间的液晶层,以及位于阵列基板入光侧的入射偏光片和位于对向基板出光侧的出射偏光片。其中,入射偏光片和出射偏光片的偏振轴正交设置,对向基板上设置有公共电极,阵列基板的每个像素单元设置有梳状的像素电极,在对公共电极和像素电极施加电压后,像素电极与公共电极之间形成电场,从而驱动液晶分子产生偏转。
现有技术存在的缺陷在于,液晶面板在进行测试显示暗态画面时,像素单元存在较明显的漏光,显示品质欠佳。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种阵列基板、液晶面板及显示装置,以改善像素漏光现象,提高显示装置的显示品质。
本发明实施例提供了一种阵列基板,包括由栅线和数据线界定的呈阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包括像素电极,所述像素电极包括呈梳状排列的多个电极条,所述电极条与第一偏光片的偏振轴的夹角α满足:0≤α≤40°,所述电极条与第二偏光片的偏振轴的夹角β满足:50°≤β≤90°;或者所述电极条与第一偏光片的偏振轴的夹角α满足:50°≤α≤90°,所述电极条与第二偏光片的偏振轴的夹角β满足:0≤β≤40°。
采用本发明实施例技术方案的结构设计,阵列基板的像素电极与对向基板的公共电极驱动液晶分子偏转,可以明显改善像素暗态漏光现象,从而提升了显示装置的显示品质。
可选的,所述像素单元包括被电极线分隔的两个畴区。
优选的,所述像素单元包括被X形电极线分隔的四个畴区。这样可以使显示装置具有较大的观看视角。
当像素单元包括被X形电极线分隔的四个畴区时,较佳的,与栅线相邻的两个畴区内的电极条垂直于第一偏光片或第二偏光片的偏振轴,与数据线相邻的两个畴区内的电极条垂直于所述与栅线相邻的两个畴区内的电极条。
当像素单元包括被X形电极线分隔的四个畴区时,较佳的,与栅线相邻的两个畴区内的电极条与第一偏光片或第二偏光片的偏振轴的夹角为10°、15°、20°、22.5°、25°、30°、35°或40°,与数据线相邻的两个畴区内的电极条垂直于所述与栅线相邻的两个畴区内的电极条。
可选的,所述第一偏光片位于阵列基板的入光侧。
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