[发明专利]一种夹具及其制造方法

权利要求书

1.一种夹具，用于夹持光纤准直器，其特征在于，所述夹具包括衬底以及设置于所述衬底上方的硅基本体，所述硅基本体顶部设置有第一导向孔，用于装设并固定所述光纤准直器，所述第一导向孔向下延伸出一限位孔，所述限位孔贯穿所述硅基本体到达所述衬底。

2.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述衬底包括从上而下依次远离所述硅基本体设置的第一薄膜层、第二薄膜层；所述第二薄膜层的厚度为所述第一薄膜层厚度的2～3倍。

3.根据权利要求2所述的夹具，其特征在于，所述第一薄膜层的材质为氧化硅，所述第二薄膜层的材质为氮化硅。

4.根据权利要求2所述的夹具，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度为1～2微米。

5.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述限位孔的深度为100～300微米。

6.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述硅基本体的厚度不大于1毫米。

7.根据权利要求1所述的夹具，其特征在于，所述限位孔的横向尺寸为200～1800微米。

8.根据权利要求1～7任一所述的夹具，其特征在于，所述第一导向孔向下延伸出两个第二导向孔，两个所述第二导向孔分别设置于所述限位孔两侧。

9.一种如权利要求2所述的夹具的制造方法，其特征在于，包括：

在所述硅基本体顶部以及底部分别沉积一层氧化层；

通过刻蚀去除所述硅基本体顶部的氧化层，所述硅基本体底部的氧化层形成为第一薄膜层；

在所述第一薄膜层的底部沉积厚度为所述第一薄膜层厚度的2～3倍的第二薄膜层；

在所述硅基本体顶部涂覆光刻胶，以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述硅基本体顶部形成限位孔，使得所述限位孔贯穿所述硅基本体到达所述第一薄膜层。

去除所述硅基本体顶部的光刻胶，在所述形成有限位孔的硅基本体顶部重 新涂覆光刻胶，以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述硅基本体顶部形成第一导向孔，使得所述第一导向孔与所述限位孔连接，

去除形成有所述第一导向孔以及所述限位孔的硅基本体顶部的光刻胶。

10.根据权利要求9所述的夹具制造方法，其特征在于，所述第一薄膜层的材质为氧化硅，所述第二薄膜层的材质为氮化硅。

11.根据权利要求9所述的夹具制造方法，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度为1～2微米。

12.根据权利要求9所述的夹具制造方法，其特征在于，所述限位孔的深度为100～300微米，其横向尺寸为200～1800微米。

13.根据权利要求9所述的夹具制造方法，其特征在于，所述硅基本体的厚度不大于1毫米。

14.根据权利要求9～13任一所述的夹具制造方法，其特征在于，所述第一导向孔向下延伸出两个第二导向孔，两个所述第二导向孔分别设置于所述限位孔两侧，所述方法还包括：

在所述形成有第一导向孔以及限位孔的硅基本体顶部涂覆光刻胶，以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述第一导向孔底部形成第二导向孔；

去除所述第一导向孔底部的光刻胶。

15.根据权利要求14所述的夹具制造方法，其特征在于，去除光刻胶的方法为湿法去胶。