[发明专利]微电容超声传感器

权利要求书

1.一种微电容超声传感器，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上表面的下电极组件、上膜以及设置于所述上膜上表面的上电极组件，所述衬底上表面还设置有封闭环绕所述下电极组件的下密封线圈，所述上膜下表面凹设有用于收容所述下电极组件的收容腔以及封闭环绕所述收容腔的上密封线圈，所述上膜和所述衬底至少通过所述上密封线圈和所述下密封线圈对接密封所述收容腔，所述上密封线圈和所述下密封线圈均为首尾相连的环形线圈，且所述上密封线圈与所述下密封线圈的形状相匹配。

2.根据权利要求1所述的微电容超声传感器，其特征在于，所述衬底上表面还设置有与所述下电极组件通过下焊盘引线连接的下焊盘，所述上膜开设有与所述下焊盘对应的下焊盘窗口，所述下焊盘窗口位于所述上密封线圈封闭环绕的区域之外，所述下焊盘通过所述下焊盘窗口暴露；所述上膜上表面还设置有与所述上电极组件通过上焊盘引线连接的上焊盘。

3.根据权利要求2所述的微电容超声传感器，其特征在于，所述下焊盘窗口与所述下焊盘的形状对应，且所述下焊盘窗口的内侧壁与所述下焊盘之间具有间隙。

4.根据权利要求1-3任一所述的微电容超声传感器，其特征在于，所述微电容超声传感器还包括夹设于所述上膜与所述上电极组件之间的绝缘层。

5.根据权利要求4所述的微电容超声传感器，其特征在于，所述上电极组件包括上电极互联引线以及通过所述上电极互联引线彼此连接的若干上电极，所述下电极组件包括下电极互联引线以及通过所述下电极互联引线彼此连接的若干下电极；其中，在与所述衬底垂直的方向上，所述若干上电极与所述若干下电极的投影对应重合，且对应的所述上电极之间的上电极互联引线与所述下电极之间的下电极互联引线的投影相互交叉。

6.根据权利要求5所述的微电容超声传感器，其特征在于，所述上膜下表面还凹设有贯通若干所述收容腔的互联通道；其中，所述互联通道与所述下电极互联引线相对应，且所述互联通道与所述收容腔的深度相等。

7.根据权利要求5所述的微电容超声传感器，其特征在于，在与所述衬底垂直的方向上，所述若干上电极和下电极的投影在对应的所述收容腔的投影之内；且所述收容腔的深度大于与其对应的所述下电极的厚度。

8.根据权利要求1所述的微电容超声传感器，其特征在于，所述上密封线圈和所述下密封线圈均为金属线圈。

9.根据权利要求1所述的微电容超声传感器，其特征在于，所述衬底的材料为玻璃，所述上膜的材料为硅，和/或所述上膜和所述衬底还通过阳极键合密封所述收容腔。