[发明专利]量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置

权利要求书

1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括基板、阳极、空穴注入和空穴传输层、量子点发光层、电子注入和电子传输层及阴极，所述阳极设置在所述基板上，所述阳极与所述阴极设置在所述基板的同侧，且所述阳极和所述阴极相对且间隔设置，所述空穴注入和空穴传输层、所述量子点发光层及所述电子注入和电子传输层夹设在所述阳极和所述阴极之间，所述空穴注入和空穴传输层的一面与所述阳极相连，所述量子点发光层及所述电子注入和电子传输层依次层叠设置在所述空穴注入和空穴传输层远离所述阳极的一面，且所述电子注入和电子传输层远离所述量子点发光层的一面与所述阴极相连，所述阳极用于提供空穴，所述阴极用于提供电子，所述空穴注入和空穴传输层用于将所述空穴传输至所述量子点发光层，所述电子注入和电子传输层用于将所述电子传输至所述量子点发光层，所述空穴和所述电子在所述量子点发光层中复合以发光，其中，所述电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物。

2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述水醇溶性共轭聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一种或者多种。

3.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述阳极包括氧化铟锡。

4.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入和空穴传输层包括PEDOT：PSS或者P型金属氧化物纳米粒子，其中，所述P型金属氧化物纳米粒子包括MoO3、NiO、V2O5及WoO3的任意一种或者多种。

5.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入和空穴传输层的厚度为10～15nm。

6.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为30～40nm。

7.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层包括单层或者多层量子点。

8.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述阴极包括铝，所述阴极的厚度为100～150nm。

9.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述量子点发光器件的制备方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面上形成阳极；

在所述阳极远离所述基板的表面涂布空穴注入和空穴传输材料以形成空穴注入和空穴传输层；

在所述空穴注入和空穴传输层远离所述阳极的表面涂布量子点发光材料以形成量子点发光层；

在所述量子点发光层远离所述空穴注入和空穴传输层的表面涂布电子注入和电子传输材料以形成电子注入和电子传输层，其中，所述电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物；

在所述电子注入和电子传输层远离所述量子点发光层的表面沉积金属以形成阴极。

10.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括如权利要求1至8任意一项所述的量子点发光器件。