[发明专利]一种诱导分蘖洋葱多倍体植株的方法在审
| 申请号： | 201610048449.4 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105409765A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王勇;陈典;宋策;颜井贵;曲春秋 | 申请（专利权）人： | 东北农业大学 |
| 主分类号： | A01H1/08 | 分类号： | A01H1/08;A01H4/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150030 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 诱导 分蘖 洋葱 多倍体 植株 方法 | ||
1.一种诱导分蘖洋葱多倍体植株的方法，其特征在于该方法按以下步骤实现：
一、获得茎尖外植体
剥除分蘖洋葱鳞茎外皮并用自来水冲洗去皮后的分蘖洋葱鳞茎，切除分蘖洋葱鳞茎顶部2/3后将分蘖洋葱鳞茎顶部剩余部分置于70℃保温箱中加热10min，然后对分蘖洋葱鳞茎顶部剩余部分进行杀菌消毒，再用无菌水冲洗3～4次并用无菌滤纸吸干表面水分，最后在无菌条件下用消毒的镊子和解剖针剥离获得0.15mm～0.3mm茎尖外植体；
二、混培法处理茎尖外植体
在无菌条件下，将步骤一获得的茎尖外植体接入到含0.1～0.2mg/L的2-IP、0.1～0.2mg/L的NAA和10～40μmol/L的二甲戊灵诱导剂的MS培养基中，在温度25±1℃，光照强度为2000lx下，每天光照13h，培养6～8天，然后转移到含0.1～0.2mg/L的2-IP、0.1～0.2mg/L的NAA的MS培养基中，在温度25±1℃，光照强度为2000lx下，每天光照13h，培养40天，即完成分蘖洋葱多倍体植株的诱导。
2.根据权利要求1所述的一种诱导分蘖洋葱多倍体植株的方法，其特征在于步骤一所述的对分蘖洋葱鳞茎顶部剩余部分进行杀菌消毒方法是用10％次氯酸钠溶液浸泡10～15min。
3.根据权利要求1所述的一种诱导分蘖洋葱多倍体植株的方法，其特征在于步骤一所述的对分蘖洋葱鳞茎顶部剩余部分进行杀菌消毒方法是用质量分数为0.1％的氯化汞水溶液对分蘖洋葱鳞茎顶部剩余部分进行杀菌消毒5～10min。
4.根据权利要求1所述的一种诱导分蘖洋葱多倍体植株的方法，其特征在于步骤二所述的在温度25±1℃，光照强度为2000lx下，每天光照13h，培养6天。
5.根据权利要求1所述的一种诱导分蘖洋葱多倍体植株的方法，其特征在于步骤二所述的将步骤一获得的茎尖外植体接入到含0.1mg/L的2-IP、0.1mg/L的NAA和40μmol/L的二甲戊灵诱导剂的MS培养基中。
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