[发明专利]一种超宽电压输入的非隔离开关电源电路有效
申请号: | 201610048417.4 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105553297B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 赵勇;徐明章;赵利华 | 申请(专利权)人: | 四川长虹电器股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M3/155 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 李凌峰 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分压电路 非隔离 降压电路 开关电源 开关电源电路 稳压输出电路 整流滤波电路 直流母线电压 电压输入 超宽 输入电压不稳定 电路设计参数 电网输入电压 交流输入电压 降压处理 滤波输出 母线电压 应用环境 输出 电源IC 分压 稳压 应用 | ||
1.一种超宽电压输入的非隔离开关电源电路,包括输入端及输出端,其特征在于,还包括整流滤波电路、MOS管分压电路、buck降压电路以及稳压输出电路,所述输入端、整流滤波电路、MOS管分压电路、buck降压电路、稳压输出电路及输出端依次连接;
所述MOS管分压电路包含MOSFET(V1)、第二电阻(R2)、第一电阻(R1)、第一稳压管(VD1)和第四稳压管(VD4),所述MOSFET(V1)的D极与整流滤波电路连接,第二电阻(R2)的一端与所述MOSFET(V1)的D极连接,另一端与所述MOSFET(V1)的G极连接;第四稳压管(VD4)的正极与MOSFET(V1)的S极相连,负极与第一电阻(R1)的一端及所述MOSFET(V1)的G极连接,第一电阻(R1)的另一端与第一稳压管(VD1)的负极相连,第一稳压管(VD1)的正极与buck降压电路连接;
所述buck降压电路包含集成IC(D7)、第二电容(C2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第三电容(C3)、电感(L1)、第七二极管(VD7)、第八二极管(VD8)和第五电容(C5);所述集成IC(D7)的第5脚连接第四稳压管(VD4)的正极,集成IC(D7)的第1、2、7、8脚同时连接第一稳压管(VD1)的正极、第二电容(C2)的一端、第三电阻(R3)的一端、第三电容(C3)的负极、第七二极管(VD7)的负极以及电感(L1)的一端;集成IC(D7)的第3脚连接第二电容(C2)的另一端,集成IC(D7)的第4脚连接到第四电阻(R4)的一端和第三电阻(R3)的另一端;第四电阻(R4)的另一端与第三电容(C3)的正极以及第八二极管(VD8)的负极连接;第八二极管(VD8)的正极与电感(L1)的另一端以及第五电容(C5)的正极连接;第五电容(C5)的负极连接到第七二极管(VD7)的正极后与地线连接。
2.如权利要求1所述的超宽电压输入的非隔离开关电源电路,其特征在于,所述第三电容(C3)为电解电容,第二电容(C2)为贴片电容。
3.如权利要求1所述的超宽电压输入的非隔离开关电源电路,其特征在于,所述整流滤波电路包含第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第五二极管(D5)、第六二极管(D6)以及第一电容(C1),所述第三二极管(D3)的正极与第四二极管(D4)的正极相连后与地线连接;第三二极管(D3)的负极与第五二极管(D5)的正极相连后与交流火线(ACL)连接;第五二极管(D5)的负极与第六二极管(D6)的负极相连后连接到第一电容(C1)的正极;第六二极管(D6)的正极与第四二极管(D4)的负极相连后连接到交流零线(CAN);第一电容(C1)的负极与地线相连。
4.如权利要求3所述的超宽电压输入的非隔离开关电源电路,其特征在于,所述第一电容(C1)为电解电容。
5.如权利要求1所述的超宽电压输入的非隔离开关电源电路,其特征在于,所述稳压输出电路包含三端稳压器(D8)和第四电容(C4),所述三端稳压器(D8)的1脚连接到第五电容(C5)的正极,三端稳压器(D8)的3脚连接第四电容(C4)的正极,三端稳压器(D8)的2脚与第四电容(C4)的负极相连后与地线连接。
6.如权利要求5所述的超宽电压输入的非隔离开关电源电路,其特征在于,所述第四电容(C4)为电解电容。
7.如权利要求1或5所述的超宽电压输入的非隔离开关电源电路,其特征在于,所述第五电容(C5)为电解电容。
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