[发明专利]电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法

权利要求书

1.一种电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其通过蚀刻进行电路 形成，其特征在于，该压延铜箔或电解铜箔具有在蚀刻面侧形成的蚀 刻速度比铜低的镍合金层，该镍合金层含有锌或锌氧化物，该镍合金 层中的镍比率超过50重量％，所述镍合金层中所含的以锌或锌氧化物 形式存在的锌含量以金属锌换算为30μg/dm²～1000μg/dm²，并且不超过 镍量。

2.如权利要求1所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特 征在于，所述镍合金层中所含的镍量为100μg/dm²～3000μg/dm²。

3.如权利要求1所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特 征在于，所述镍合金层中含有磷、硼、钼、钨或钴的一种或两种以上。

4.如权利要求1所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特 征在于，在所述镍合金层上，还具有铬层或铬酸盐层或硅烷处理层。

5.如权利要求4所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特 征在于，具有所述铬层或铬酸盐层时，铬量以金属铬换算为100μg/dm²以下。

6.如权利要求5所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特 征在于，具有所述硅烷处理层时，以硅单质换算为20μg/dm²以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解 铜箔，其特征在于，蚀刻面的蚀刻因子EF(该EF表示：在通过蚀刻 形成电路时，在电路被垂直地蚀刻的情况下，设引自铜箔上表面的垂 线与树脂基板的交点为P点，从该P点开始的由蚀刻产生的下弯长度 为a时，与铜箔的厚度b之比：b/a＝EF)为2.0以上。

8.如权利要求1～6中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解 铜箔，在与蚀刻面相反侧的铜箔面上胶粘有树脂。

9.一种形成电子电路的方法，通过对包含压延铜箔或电解铜箔的 覆铜箔层压板的该铜箔进行蚀刻而形成电子电路，其特征在于，在铜 箔的蚀刻面侧形成含有锌或锌氧化物的镍合金层，然后，使用氯化铁 水溶液或氯化铜水溶液对该铜箔进行蚀刻，将铜箔的不需要部分除去， 从而形成铜的电路，所述镍合金层中所含的以锌或锌氧化物形式存在 的锌含量以金属锌换算为30μg/dm²～1000μg/dm²，并且不超过镍量。

10.一种形成电子电路的方法，通过对包含压延铜箔或电解铜箔 的覆铜箔层压板的该铜箔进行蚀刻而形成电子电路，其特征在于，使 用氯化铁水溶液或氯化铜水溶液对权利要求1～6中任一项所述的电子 电路用的压延铜箔或电解铜箔进行蚀刻，将铜箔的不需要部分除去， 从而形成铜的电路。