[发明专利]晶体管及显示设备

权利要求书

1.一种氧化物半导体层，包括：

包含纳米晶体的第一区；以及

包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的结晶的第二区，

其中所述氧化物半导体层包括铟、锡及锌，

其中所述第二区位于所述第一区之上，并且

其中所述氧化物半导体层的端部具有锥形形状。

2.一种氧化物半导体层，包括：

包含非晶及纳米晶体的第一区；以及

包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的结晶的第二区，

其中所述氧化物半导体层包括铟、锡及锌，

其中所述第二区位于所述第一区之上，并且

其中所述氧化物半导体层的端部具有锥形形状。

3.一种氧化物半导体层，包括：

包括第一结晶的第一区；以及

包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的第二结晶的第二区，

其中所述氧化物半导体层包括铟、锡及锌，

其中所述第一区的结晶状态与所述第二区的结晶状态不同，

其中所述第二区位于所述第一区之上，并且

其中所述氧化物半导体层的端部具有锥形形状。

4.根据权利要求1或2所述的氧化物半导体层，其中每个所述纳米晶体的尺寸为20nm以下。

5.根据权利要求3所述的氧化物半导体层，其中每个所述第一结晶的尺寸为20nm以下。

6.一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：

氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括：

包含纳米晶体的第一区；以及

包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的结晶的第二区，

其中所述氧化物半导体层包括铟、锡及锌，

其中所述第二区位于所述第一区之上，并且

其中所述氧化物半导体层的端部具有锥形形状。

7.一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：

氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括：

包含非晶及纳米晶体的第一区；以及

包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的结晶的第二区，

其中所述氧化物半导体层包括铟、锡及锌，

其中所述第二区位于所述第一区之上，并且

其中所述氧化物半导体层的端部具有锥形形状。

8.一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：

氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括：

包括第一结晶的第一区；以及

包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的第二结晶的第二区，

其中所述氧化物半导体层包括铟、锡及锌，

其中所述第一区的结晶状态与所述第二区的结晶状态不同，

其中所述第二区位于所述第一区之上，并且

其中所述氧化物半导体层的端部具有锥形形状。

9.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中每个所述纳米晶体的尺寸为20nm以下。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中每个所述第一结晶的尺寸为20nm以下。

11.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置，还包括栅极绝缘层及栅极电极，其中所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层在所述栅极电极之上。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，还包括与所述氧化物半导体层接触的源极电极和漏极电极，其中所述第二区位于所述源极电极和所述漏极电极之间。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，还包括与所述氧化物半导体层接触的源极电极和漏极电极，

其中所述氧化物半导体层包括第三区，并且

其中所述第三区的厚度比所述氧化物半导体层的与所述源极电极和所述漏极电极接触的部分的厚度小。

14.一种氧化物半导体层，包括：

包含纳米晶体的第一区；以及

包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的结晶的第二区，

其中所述第二区位于所述第一区之上，并且

其中所述第二区的厚度比所述第一区的厚度小。