[发明专利]晶体管及显示设备

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

栅电极层；

相邻于所述栅电极层的栅极绝缘层；

隔着所述栅极绝缘层相邻于所述栅电极层的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括 沟道区；以及

接触于所述氧化物半导体层的氧化物绝缘层，

其中，所述氧化物半导体层包括铟、锌、以及铟和锌之外的金属，

所述氧化物半导体层的上部包括结晶区，该结晶区包括在垂直于所述氧化物半导体层 的上表面的方向上进行c轴取向的微晶，

并且，所述结晶区不形成在侧表面部。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述氧化物半导体层形成在所述栅电极层上。

3.根据权利要求1所述的晶体管，还包括：

相邻于所述氧化物半导体层的源电极及漏电极，

其中所述源电极及所述漏电极各具有铝夹在钛之间的三层结构。

4.一种晶体管，包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

隔着所述栅极绝缘层位于所述栅电极层上的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括 沟道区；

所述氧化物半导体层上的源电极；

所述氧化物半导体层上的漏电极；以及

接触于所述氧化物半导体层的氧化物绝缘层，

其中，所述氧化物半导体层包括铟、锌、以及铟和锌之外的金属，

所述氧化物半导体层的上部包括结晶区，该结晶区包括在垂直于所述氧化物半导体层 的上表面的方向上进行c轴取向的微晶，

并且，所述结晶区不形成在侧表面部。

5.一种晶体管，包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

隔着所述栅极绝缘层位于所述栅电极层上的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括 沟道区；

所述氧化物半导体层上的源电极；

所述氧化物半导体层上的漏电极；以及

接触于所述氧化物半导体层的氧化物绝缘层，

其中，所述氧化物半导体层包括铟、锌、以及铟和锌之外的金属，

所述氧化物半导体层的上部包括结晶区，该结晶区包括在垂直于所述氧化物半导体层 的上表面的方向上进行c轴取向的微晶，

所述结晶区不形成在侧表面部，

并且，所述氧化物半导体层整体与所述栅电极层重叠。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中所述栅电极层延伸超过所述氧化物半导体层的 所有的外边缘。

7.根据权利要求1、4和5中任一项所述的晶体管，其中所述氧化物半导体层的所述上部 包括所述沟道区。

8.根据权利要求1、4和5中任一项所述的晶体管，其中所述结晶的尺寸在沿着短轴方向 的方向上为20nm以下。

9.根据权利要求1、4和5中任一项所述的晶体管，其中所述栅极绝缘层为氮化硅和氧氮 化硅的叠层膜。

10.根据权利要求1、4和5中任一项所述的晶体管，其中所述氧化物半导体层为叠层。

11.根据权利要求4或5所述的晶体管，其中所述源电极及所述漏电极各具有铝夹在钛 之间的三层结构。

12.根据权利要求1、4和5中任一项所述的晶体管，其中所述金属为镓。

13.根据权利要求1、4和5中任一项所述的晶体管，其中所述金属从镓、铝、锰、钴和锡中 选择。