[发明专利]防止光刻胶层脱落的方法

权利要求书

1.一种防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成待刻蚀层；

对所述待刻蚀层进行表面处理，提高所述待刻蚀层的表面亲水性；

在所述进行表面处理后的待刻蚀层表面形成光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述 表面处理提高待刻蚀层表面的含氧基团数量。

3.根据权利要求1所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述 待刻蚀层的材料为氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求3所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述 表面处理方法提高待刻蚀层表面的Si-O或Si-OH数量。

5.根据权利要求1所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，在形 成所述光刻胶层之前，采用旋转涂覆工艺在所述进行表面处理后的待刻蚀 层表面形成六甲基二硅亚胺层。

6.根据权利要求5所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述 旋转涂覆工艺的时间为36s～55s。

7.根据权利要求1所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述 表面处理的方法为灰化工艺、刷洗工艺或去离子水清洗工艺。

8.根据权利要求7所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述 灰化工艺采用的气体为氧气，流量范围为1000sccm～5000sccm，压强范围 为500mTorr～3000mTorr，温度范围为50℃～300℃，时间范围为20s～10min。

9.根据权利要求7所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述 刷洗工艺为采用去离子水冲洗待刻蚀层表面，时间为10s～100s，水压为 2MPa～3MPa。

10.根据权利要求7所述的防止光刻胶层发生脱落的方法，其特征在于，所述 去离子水清洗工艺采用浸入式清洗方式，时间范围为200s～1000s，温度范 围为20℃～80℃。