[发明专利]一种电器的主接触器管理电路及方法

权利要求书

1.一种电器的主接触器管理电路，其特征在于，所述电路包括：电流泵振荡单元、主接触器预充电单元、隔离单元、逻辑控制单元和主芯片，其中，

电流泵振荡单元，用于通过推挽电路进行电流放大对第一电容持续的充电，并使保持所述第一电容的输出端的第二电容的电压值不低于预设值；

主接触器预充电单元，用于上电后，对第二电容的充电时以晶体管作为主接触器，并通过所述主接触器的开启实现对第二电容的充电控制；

隔离单元，用于将所述逻辑控制单元和主接触器的高电压进行分离以保护低压电路；

逻辑控制单元，用于通过主芯片对所述隔离单元的进行逻辑控制。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流泵振荡单元具体包括：

PNP三极管和NPN型三极管，PNP三极管的基级和NPN型三极管的基极分别接入输入电信号，PNP三极管的集电极连接并联的第三电容的一端和第一二极管的负极，PNP三极管的发射极分别与NPN型三极管的发射极和第一电容的一端连接，第一二极管的正极与第二二极管的负极连接，NPN型三极管的集电极、第三电容的另一端和第二二极管的正极则接地，第一电容的另一端分别于第三二极管的正极第四二极管的负极连接，第三二极管的负极则输出至所述隔离单元和第二电容的一端，所述第二电容的另一端则连接所述主接触器预充电单元和所述主芯片。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述主接触器预充电单元具体包括：

通过正极连接所述第二电容的另一端的第五二极管，所述第五二极管的负极连接晶体管的发射极，所述晶体管的基极分别连接第一电阻、第二电阻、第四电容和第三电阻，其中第一电阻的另一端连接第六二极管的正极，第六二极管的负极和第二电阻的另一端则接入所述主芯片，所述第四电容、第三电阻和 晶体管的集电极则接地。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述隔离单元具体用于分别通过两个开关三极管的基极分别接入所述主芯片的输出高电平和输出低电平，以所述开关三极管分别控制对应的两个光耦合器的导通或截至，进而实现两个光耦合器的输出端与所述主芯片连接处的电压与第二电容的电压相等。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述两个开关三极管中其中一个开关三极管为导通状态时，另外一个开关三极管为截至状态。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述逻辑控制单元具体用于

刚上电，主接触器驱动为低压，主接触器驱动充电驱动为低压；

主接触器驱动充电驱动为高压后，等待第二电容的电压升高到与电池电压相差设定电压值以内，再延时第一固定时间；

主接触器驱动充电驱动降为低压的状态保持时间大于等于第二固定时间；

主接触器驱动达到高压的状态保持大于等于第三固定时间，进行输出并关闭对所述第二电容的预充电；

保持主接触器驱动为高，主接触器充电驱动为低。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述逻辑控制单元具体还用于：

主接触器驱动为低压的状态保持大于等于第四固定时间；

主接触器驱动充电驱动为高。

8.一种电器的主接触器管理方法，其特征在于，所述方法包括：

通过推挽电路进行电流放大对第一电容持续的充电，并使保持所述第一电容的输出端的第二电容的电压值不低于预设值；

上电后，对第二电容的充电时以晶体管作为主接触器，并通过所述主接触器的开启实现对第二电容的充电控制；

将所述逻辑控制单元和主接触器的高电压进行分离以保护低压电路；

通过主芯片对所述隔离单元的进行逻辑控制。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过主芯片对所述隔离单元的进行逻辑控制包括:

刚上电，主接触器驱动为低压，主接触器驱动充电驱动为低压；

主接触器驱动充电驱动为高压后，等待第二电容的电压升高到与电池电压相差设定电压值以内，再延时第一固定时间；

主接触器驱动充电驱动降为低压的状态保持时间大于等于第二固定时间；

主接触器驱动达到高压的状态保持大于等于第三固定时间，进行输出并关闭对所述第二电容的预充电；

保持主接触器驱动为高，主接触器充电驱动为低。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述通过主芯片对所述隔离单元的进行逻辑控制还包括：

主接触器驱动为低压的状态保持大于等于第四固定时间；

主接触器驱动充电驱动为高。