[发明专利]一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法有效
| 申请号: | 201610040913.5 | 申请日: | 2016-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN105693237B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
| 发明(设计)人: | 顾燕;刘志甫;李永祥 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷电介质材料 高耐压 制备 场强 钙钛矿结构 温度稳定性 晶粒 击穿场强 直流击穿 微米级 | ||
1.一种高耐压陶瓷电介质材料的制备方法,其特征在于,包括:
按照一定质量比称取纳米BaTiO
将所得原始粉料一次球磨后,在1000-1100℃下煅烧1-3小时,得到陶瓷粉料;
将所得陶瓷粉料二次球磨后,压制成型,在1350-1450℃中烧结3-4小时,自然冷却,得到所述高耐压陶瓷电介质材料;
所述高耐压陶瓷电介质材料为钙钛矿结构,其击穿场强大于20 kV/mm;
所述纳米BaTiO
所述纳米M
2.一种根据权利要求1所述的制备方法制备的高耐压陶瓷电介质材料,其特征在于,所述高耐压陶瓷电介质材料中分布的晶粒的尺寸为100-500nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610040913.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





