[发明专利]LED器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED器件。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件。随着技术的不断进步，由于LED具有低功耗、低热、启动无延时、高亮度等特点，因此被广泛应用于显示器、电视机采光装饰和照明等领域。

但是，目前的LED器件，尤其倒装LED器件的结构通常较复杂，相应的制造工艺也会比较繁琐，导致生产良率不高。

发明内容

本发明提供一种LED器件，用于解决现有的LED器件的结构和工艺流程过于复杂和繁琐的问题。

本发明提供一种LED器件，包括：衬底、外延层、透明导电层、绝缘反射层以及第一电极和第二电极；其中，所述外延层包括位于所述衬底上的第一型半导体层和位于所述第一型半导体层部分区域表面上的第二型半导体层；所述第一电极位于所述第一型半导体层的部分区域表面上，所述第二电极位于所述第二型半导体层的部分区域表面上；所述绝缘反射层覆盖所述外延层的表面；所述透明导电层位于所述第二型半导体层和所述绝缘反射层之间。

本发明提供的LED器件中，第一型半导体层和第二型半导体层表面呈阶梯结构，第一型半导体层和第二型半导体层的表面分别设置有第一电极和第二电极，绝缘反射层覆盖露出的外延层表面，透明导电层设置在第二型半导体层和绝缘反射层之间，有效简化了LED器件的结构和制备流程，提高生产良率。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的LED器件的剖面结构示意图；

图2A为本发明实施例二提供的LED器件的剖面结构示意图；

图2B为本发明实施例二中透明导电层的俯视结构示意图；

图3A为本发明实施例三提供的LED器件的剖面结构示意图；

图3B为本发明实施例三中透明导电层的俯视结构示意图；

图4A为本发明实施例四提供的LED器件的剖面结构示意图；

图4B为图4A的俯视结构示意图；

图5A为本发明实施例五提供的一种LED器件的俯视结构示意图；

图5B为本发明实施例五提供的另一种LED器件的俯视结构示意图；

图5C为本发明实施例五提供的又一种LED器件的俯视结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。为了方便说明，放大或者缩小了不同层和区域的尺寸，所以图中所示大小和比例并不一定代表实际尺寸，也不反映尺寸的比例关系。

图1为本发明实施例一提供的LED器件的剖面结构示意图，如图1所示，所述器件包括：衬底11、外延层12、透明导电层13、绝缘反射层14以及第一电极15和第二电极16；其中，

外延层12包括位于衬底11上的第一型半导体层121和位于第一型半导体层121部分区域表面上的第二型半导体层122；

第一电极15位于N型半导体层121的部分区域表面上，第二电极16位于P型半导体层122的部分区域表面上；绝缘反射层14覆盖外延层12的表面；透明导电层13位于第二型半导体层122和绝缘反射层14之间。

其中，衬底11具体可以为透明衬底，以实现LED器件的发光效果，可选的，衬底11可以包括但不限于蓝宝石、SiC、GaN、AlN中的任一种。外延层12可以为半导体元素，例如单晶硅、多晶硅或非晶结构的硅，也可以为混合的半导体结构，例如碳化硅、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷 化镓或锑化镓或硅锗(SiGe)、合金半导体或其组合。此外，外延层12可以为包含一种以上元素的半导体，这些元素可以为选自Ga,In,N,Al,Ge,As,P,Se的组合。本实施例在此不对其进行限制。

具体的，第一型半导体层121与第二型半导体层122的导电类型不同。例如，第一型半导体层121是N型半导体层，第二型半导体层122是P型半导体层。