[发明专利]基于脉冲升压变压器及磁开关的RSD触发电路

权利要求书

1.一种基于脉冲升压变压器及磁开关的RSD触发电路，其特征在于：包括充电电路，放电主电路，RSD触发电路和控制电路；

所述放电主电路串联RSD触发电路，所述充电电路连接于放电主电路、RSD触发电路两端；所述控制电路并联于充电电路和RSD触发电路两端；所述放电主电路包括依序串联的RSD开关、磁开关L、主电容C0和负载Z0；

所述RSD触发电路包括低压脉冲电源，脉冲变压器T，半导体开关K21、半导体开关K22，磁开关LC，磁开关L21、磁开关L22和触发电容Cc；

所述脉冲变压器T、RSD开关、磁开关LC、磁开关L、主电容C0、负载Z0、半导体开关K22和触发电容Cc依序串联、构成预充电流回路；

所述磁开关L21一端连接于半导体开关K21与磁开关LC的串联连接端、另一端连接于半导体开关K22与触发电容Cc的串联连接端；

所述磁开关L22一端连接于负载Z0与半导体开关K22的串联连接端、另一端连接于触发电容Cc与脉冲变压器T的串联连接端；

所述磁开关L21、L22由导线在铁氧体或环形微晶铁氧体薄膜的磁芯上缠绕若干圈构成。

2.如权利要求1所述一种基于脉冲升压变压器及磁开关的RSD触发电路，其特征在于：所述脉冲电源采用基于RSD或晶闸管或IGBT或功率MOSFET或IGCT或GTO的脉冲电源，包括充电电路和放电电路两部分，所述放电 电路包括放电电容C0、磁开关L、RSD开关，输出半导体开关K21、半导体开关K22的触发电流。

3.如权利要求1所述一种基于脉冲升压变压器及磁开关的RSD触发电路，其特征在于：所述RSD开关采用基于IGBT或功率MOSFET或IGCT或GTO的半导体功率开关。