[发明专利]化学机械抛光装置有效
| 申请号: | 201610039039.3 | 申请日: | 2016-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN106826533B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
| 发明(设计)人: | 金钟千;金旻成;赵玟技 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/013 | 分类号: | B24B37/013;B24B37/10;B24B37/32;B24B49/04;B24B49/10 |
| 代理公司: | 11327 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 机械抛光 装置 | ||
1.一种化学机械抛光装置,用于对以导电性材质形成抛光层的晶片进行抛光,其特征在于,包括:
抛光平板,在上表面覆盖有抛光垫并进行自转;
抛光头,在化学机械抛光工序中,与上述晶片的表面相接触并施压,并且设有挡圈,上述挡圈包括第一部件和第二部件,上述第一部件以导电性材料形成于上述晶片的周围,且形成为比上述抛光层更厚,上述第二部件以非导电性材料形成于上述第一部件的下侧,并在上述化学机械抛光工序中与上述抛光垫相接触;
厚度传感器,定位于上述抛光平板并与上述抛光垫一同旋转,向上述晶片施加涡流信号,并接收包含有上述晶片抛光层的厚度信息的输出信号;以及
控制部,以上述厚度传感器所检测的上述第一部件的位置作为基准位置,并以上述基准位置为基准,获取上述输出信号中相当于上述抛光层所占的抛光层区域的抛光层输出信号,并根据上述抛光层输出信号获取上述抛光层的厚度,
上述第一部件形成有具有不同高度的第一台阶面和第二台阶面,上述基准位置为上述第一台阶面和上述第二台阶面的边界。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述第一部件比上述抛光层厚10倍以上。
3.根据权利要求2所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述第一台阶面和上述第二台阶面分别以水平的平坦面形成。
4.根据权利要求3所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述第一台阶面和上述第二台阶面的高度差在整个圆周方向上保持恒定。
5.根据权利要求3所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述第一台阶面和上述第二台阶面分别以环状形成,并分布于从中心到半径方向的不同长度上。
6.根据权利要求3所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述第一部件由金属材料形成,上述第二部件由树脂、塑料中的至少一种材料形成。
7.一种化学机械抛光装置,用于对以导电性材质形成抛光层的晶片进行抛光,其特征在于,包括:
抛光平板,在上表面覆盖有抛光垫并进行自转;
抛光头,在化学机械抛光工序中,与上述晶片的表面相接触并施压;
厚度传感器,定位于上述抛光平板并与上述抛光垫一同旋转,向上述晶片施加涡流信号,并接收包含有上述晶片抛光层的厚度信息的输出信号;以及
控制部,在化学机械抛光工序中,延伸延长线,使得从由上述厚度传感器自上述晶片的抛光层区域接收的输出信号中的末端信号值Pz延伸延长线与基准值相交,并将上述延长线与上述基准值相交的两个地点之间作为上述晶片的抛光层所处的抛光层区域进行检测,从而获取在上述抛光层区域中的上述晶片的抛光层的厚度,
其中,上述延长线从由上述厚度传感器自上述晶片的抛光层区域接收的输出信号中的末端信号值Pz以与接近上述末端信号值Pz的抛光层区域相同的斜率变化率延伸至基准值,
上述基准值为,在未对上述晶片进行化学机械抛光工序的状态下由上述厚度传感器所接收的基本输出信号的偏移值。
8.根据权利要求7所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述基准值为0。
9.根据权利要求7所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述延长线为直线。
10.根据权利要求7所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述延长线为曲线。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
上述抛光头包括挡圈,上述挡圈设有第一部件,上述第一部件以导电性材料形成于上述晶片的周围。
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