[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备有效
申请号: | 201610037666.3 | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN105720066B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 荻田知治;山本笃志;田谷圭司;大塚洋一;田渕清隆 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种成像装置,包括:
基板,所述基板具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;
多个光电转换元件,所述多个光电转换元件位于所述基板中;
多个滤色器部件,所述多个滤色器部件设置在所述基板的所述第一侧上且包括第一滤色器部件和第二滤色器部件;
遮光部,当从截面上看时、至少所述遮光部的一部分设置在所述第一滤色器部件和第二滤色器部件之间;
透明膜,当从截面上看时、至少所述透明膜的一部分设置在所述第一滤色器部件和第二滤色器部件之间;以及
栅极电极,所述栅极电极设置在所述第二侧,
其中,所述透明膜朝向所述第一滤色器部件和第二滤色器部件的表面是非平坦的,
所述透明膜的厚度小于所述遮光部的厚度,且所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的一部分嵌入所述遮光部的层中,并且
所述遮光部包括第一遮光部和第二遮光部,在平面图中,所述第一遮光部形成在所述滤色器部件的边部之间,所述第二遮光部形成在所述滤色器部件的角部之间,并且所述基板的所述第一侧和所述第一遮光部的远离所述基板的所述第一侧的端面之间的距离大于所述基板的所述第一侧和所述第二遮光部的远离所述基板的所述第一侧的端面的距离。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述多个光电转换元件包括对应于所述第一滤色器部件的第一光电转换元件和对应于所述第二滤色器部件的第二光电转换元件。
3.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述基板是半导体基板,并且所述半导体基板包括所述多个光电转换元件。
4.根据权利要求3所述的成像装置,还包括:
邻近于所述第一侧设置的绝缘膜,其中,
当从截面上看时、所述绝缘膜设置在所述透明膜和所述第一侧之间。
5.根据权利要求1所述的成像装置,还包括:设置在所述多个光电转换元件中相邻的光电转换元件之间的元件隔离区域。
6.根据权利要求1所述的成像装置,还包括:
第一微型透镜,设置在所述第一滤色器部件上;以及
第二微型透镜,设置在所述第二滤色器部件上。
7.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述透明膜包括设置在所述遮光部的一个表面上的氧化物膜或者氮化物膜。
8.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述遮光部包括选自由铝和钨构成的组的材料;或者,所述遮光部包括选自由碳黑和钛黑构成的组的材料。
9.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述透明膜是粘合剂膜。
10.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述遮光部的下表面是平坦的。
11.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的一部分在所述遮光部的层上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的