[发明专利]一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法

权利要求书

1.一种磁控溅射法制备涂层导体Y_1-xRE_xBCO超导层的方法，其特征在于，方法的步骤如下：

步骤1：氧化钇、氧化钐、氧化钡和氧化铜或氧化钇、氧化钆、氧化钡和氧化铜四种金 属氧化物粉末按照金属阳离子摩尔比：Y:RE:Ba:Cu＝1-x:x:2:3的比例混合在一起研磨；

步骤2：对粉末进行压缩成型；

步骤3：压制好的块状样品放入炉中,以5℃/min的速率升温到850～900℃，并保持此温度 24小时,然后以5℃/min的速率升到1050～1100℃保持1小时,然后再以2℃/min的速度降温到 950℃，然后自然降温得到块状Y_1-XRE_XBCO靶材；

步骤4：对铝酸镧(LAO)基片进行清洁处理；

步骤5：对磁控溅射腔体抽真空至真空度小于等于5×10^-4Pa，将LAO基片加热至600℃ ～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，以Y_1-XRE_XBCO为靶材，开 始溅射4～12小时以上；

步骤6：溅射结束后，降温至400～450℃并充入氧气，进行40～80分钟退火处理。镀膜 结束，将温度降至室温，得到LAO基片上生长的Y_1-XRE_XBCO超导层。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y_1-XRE_XBCO超导层的方法，其特征在于， 步骤1中四种金属阳离子浓度摩尔比为Y:RE:Ba:Cu＝1-x:x:2:3，其中RE是Gd或者Sm，0.1 ≦x≦0.6；

3.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y_1-XRE_XBCO涂层导体的方法，其特征在于， 步骤6中Y_1-XRE_XBCO超导涂层的厚度为3μm。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y_1-XRE_XBCO超导层的方法，其特征在于， 步骤2中对粉末进行压缩成型的方法是采用干压成型工艺。

5.根据权利要求4所述的磁控溅射法制备涂层导体Y_1-XRE_XBCO超导层的方法，其特征在于， 干压成型使用的磨具规格为直径5cm，成型压力为8～14kg/cm²。

6.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y_1-XRE_XBCO超导层的方法，其特征在于， 步骤5中氧气氩气比例为1:2～1:3。

7.根据权利要求1所述的磁控溅射法制备涂层导体Y_1-XRE_XBCO超导层的方法，其特征在于， 步骤6中充入氧气后的气压维持在700～750mbar。