[发明专利]全固态二次电池组件的制备方法

权利要求书

1.一种全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述全固态二次电池组件通过串联方法集成，或通过并联方法集成，或通过串并联方法集成；

所述全固态二次电池组件通过串联方法集成的步骤包括：

(1)在沉积有第一集流层的衬底表面刻划形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述第一集流层且使所述衬底露出，在所述沉积有第一集流层的衬底的表面依次沉积第一极薄膜、固态电解质薄膜及第二极薄膜，所述第一极薄膜填充所述第一沟槽并覆盖所述第一集流层及所述第一沟槽，得到初级串联薄膜；

(2)在所述初级串联薄膜的表面刻划形成第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述第一极薄膜、所述固态电解质薄膜及所述第二极薄膜且使所述第一集流层露出，在所述初级串联薄膜的表面沉积第二集流层，所述第二集流层填充所述第二沟槽并覆盖所述第二极薄膜及所述第二沟槽，得到中间串联薄膜；及

(3)在所述中间串联薄膜的表面刻划形成第三沟槽，所述第三沟槽贯穿所述第二集流层、所述第一极薄膜、所述固态电解质薄膜及所述第二极薄膜且使所述第一集流层露出，其中所述第二沟槽位于所述第一沟槽和所述第三沟槽之间，得到所述全固态二次电池组件；

所述全固态二次电池组件通过并联方法集成的步骤包括：

(1)在依次沉积有第一集流层及第一极薄膜的衬底表面刻划形成刻划槽，所述刻划槽贯穿所述第一极薄膜且使所述第一集流层露出，得到初级并联薄膜；及

(2)在所述初级并联薄膜的表面依次沉积固态电解质薄膜、第二极薄膜及第二集流层，得到所述全固态二次电池组件；

其中，所述第一极薄膜及所述第二极薄膜中的一个为正极薄膜，另一个为负极薄膜；

所述全固态二次电池组件通过串并联方法集成的步骤，包括所述全固态二次电池组件通过串联方法集成的步骤及所述全固态二次电池组件通过并联方法集成的步骤。

2.根据权利要求1所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述全固态二次电池组件通过并联方法集成中步骤(2)包括：

将所述初级并联薄膜的一侧进行清边使所述衬底露出；

在所述初级并联薄膜的表面依次沉积所述固态电解质薄膜及所述第二极薄膜，得到中间并联薄膜；

在所述中间并联薄膜的表面沉积所述第二集流层，得到所述全固态二次电池组件。

3.根据权利要求2所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述在中间并联薄膜的表面沉积第二集流层的步骤包括：

将所述中间并联薄膜的一侧再次进行清边使所述衬底露出，所述中间并联薄膜清边的一侧与所述初级并联薄膜清边的一侧为同一侧，且所述中间并联薄膜在垂直于刻划方向的清边尺寸小于所述初级并联薄膜的对应清边尺寸；

在所述清边后的中间并联薄膜的表面沉积所述第二集流层，得到所述全固态二次电池组件。

4.根据权利要求2所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述在所述中间并联薄膜的表面沉积所述第二集流层，得到所述全固态二次电池组件的步骤之后还包括步骤：

将所述全固态二次电池组件与所述初级并联薄膜清边相对的一侧进行清边，使第一集流层露出。

5.根据权利要求1所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述全固态二次电池组件通过串联方法集成中步骤(2)之后还包括步骤：

将所述全固态二次电池组件与所述刻划方向平行的两侧进行清边，使两侧的所述第一集流层露出。

6.根据权利要求1所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽及所述刻划槽的宽度均小于100μm。

7.根据权利要求1所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽与所述第一沟槽平行，所述第二沟槽与所述第一沟槽的距离为80～100μm。

8.根据权利要求1所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述第三沟槽与所述第二沟槽平行，所述第三沟槽与所述第二沟槽的距离为80～100μm。

9.根据权利要求1所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述衬底为柔性衬底或刚性衬底。

10.根据权利要求1所述的全固态二次电池组件的制备方法，其特征在于，所述刻划的方法为激光划线或机械划线。