[发明专利]双沟宽脊型半导体光放大器及其制备方法

权利要求书

1.一种双沟宽脊型半导体光放大器，包括衬底以及生长其上的外延 层，外延层上部包括n型波导层、n型波导层上部的有源区量子阱层、有 源区量子阱层上部的p型包层和欧姆接触层，其特征在于：

在所述欧姆接触层部分区域垂直向下刻蚀至n型波导层中，形成双沟 限制的脊型结构，所述双沟为两条互相平行的沟槽。

2.根据权利要求1所述的双沟宽脊型半导体光放大器，其特征在于， 所述衬底为矩形衬底，所述沟槽在衬底上的投影为平行四边形且与所述矩 形之间的倾角为1-10°。

3.根据权利要求2所述的双沟宽脊型半导体光放大器，其特征在于， 所述倾角为5°。

4.根据权利要求1所述的双沟宽脊型半导体光放大器，其特征在于， 所述脊型结构的宽度与所述脊型波导的厚度近似相等。

5.根据权利要求1所述的双沟宽脊型半导体光放大器，其特征在于， 所述n型波导层厚度为4μm以上。

6.根据权利要求1所述的双沟宽脊型半导体光放大器，其特征在于， 所述有源量子阱层的折射率大于所述n型波导层和p型包层的折射率。

7.根据权利要求1所述的双沟宽脊型半导体光放大器，其特征在于， 光放大器使用的波长为1.55μm。

8.权利要求1-7任意一项所述光放大器与激光器、探测器或调制器的 集成应用。

9.一种双沟宽脊型半导体光放大器的制备方法，包括以下步骤：

在衬底上生长含波导层的多层外延层，制成外延片；

在上述外延片上光刻出倾角1-10°的双沟条形，将外延片腐蚀到波导 层，形成脊形波导，使得脊型的宽度等于波导的厚度。

10.根据权利要求9所述的双沟宽脊型半导体光放大器的制备方法， 其特征在于，为保持侧墙垂直于水平衬底，采用干法和湿法腐蚀相结合的 方法制备脊型波导。