[发明专利]一种制备具有超厚埋层氧化层SOI硅片的方法有效
| 申请号： | 201610036630.3 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106992141B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 范美华;石文;毛俭 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 超厚埋层 氧化 soi 硅片 方法 | ||
1.一种制备具有超厚埋层氧化层SOI硅片的方法，其特征在于：该方法通过对单晶硅片依次进行埋层氧化层的制备、氢离子注入、键合和裂片工艺制备获得具有超厚埋层氧化层SOI硅片，其中：所述埋层氧化层的厚度为2-5μm，该埋层氧化层的制备过程为热氧化工艺、CVD工艺和热氧化工艺；
所述埋层氧化层的制备过程包括如下步骤：
(1)将衬底单晶硅片装入密封反应室中，反应室升温至950℃-1100℃；
(2)采用热氧化工艺在硅片表面制备SiO2界面层，氧化气氛为氧气；
(3)采用热氧化工艺对步骤(2)制备的SiO2界面层继续进行氧化处理，氧化气氛为氧气和氢气；具体热氧化工艺为：反应室中通入氧气和氢气，控制氧气流速5-10升/min，氢气流速5-18升/min，反应时间10-160min，在SiO2界面层进一步制备氧化层；
(4)采用热氧化工艺对步骤(3)处理后的硅片上的氧化层继续进行氧化处理，氧化气氛为氧气；
(5)采用CVD技术在步骤(4)处理后的硅片表面氧化层上进一步生长SiO2，至硅片上氧化层的总厚度达到要求；
(6)将步骤(5)所生长的氧化层采用热氧化工艺进行致密化处理，处理温度950℃-1100℃，氧化气氛为氧气；
步骤(2)、步骤(4)和步骤(6)热氧化工艺中，反应室中通入氧气，氧气流速5-10L/min，反应时间30-90min，制备获得SiO2氧化层；
步骤(5)CVD工艺中，反应温度550-750℃，反应时间2-20h；
所述CVD工艺具体过程如下：将装载长有氧化层的硅片的石英舟装入TEOS炉中，通入氮气排出炉管内残余气体，然后通入TEOS，直至生长的SiO2氧化层达到生产要求厚度后，停止通入TEOS，再通入氮气排除炉管内残余气体，取出硅片。
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