[发明专利]一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置在审
| 申请号： | 201610031913.9 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105491774A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘东平;彭一峰;夏洋;徐博深;齐志华 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 大连一通专利代理事务所(普通合伙) 21233 | 代理人： | 秦少林 |
| 地址： | 116600 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 导电 涂层 阵列 式微 等离子体 发生 装置 | ||
1.一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置，主要包括绝缘外壳、 进气管、高压电源以及地电极，其特征在于：所述绝缘外壳为圆筒形结构，绝 缘外壳一端封口、另一端开口，在封口端相通连接进气管；在绝缘外壳的中部 径向安装一块圆板形均流板，在均流板上均匀开设均流孔；在均流板下方安装 介质板A和介质板B，且介质板A和介质板B之间留有空间，在介质板A和介 质板B表面上下对应的开设插孔，在两块介质板的每组上下对应的插孔中安插 固定绝缘介质管，该绝缘介质管为上下开口的管体结构；在介质板A的上表面 设有一层导电涂层A，导电涂层A通过导线与高压电源相接；在介质板B的下 表面设有一层导电涂层B，导电涂层B通过导线与地电极相接。
2.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置， 其特征在于：绝缘介质管的底端口处于介质板B的下方，且与绝缘外壳的开口 端齐平或处于开口端之内。
3.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置， 其特征在于：所述导电涂层A、B为石墨或纳米银薄膜或纳米铝薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置， 其特征在于：所述导电涂层A、B的厚度为300～500微米。
5.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置， 其特征在于：所述绝缘介质管由石英或陶瓷或聚四氟乙烯材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置， 其特征在于：所述介质板A、B由有机玻璃或聚四氟乙烯或石英材料制成。
7.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置， 其特征在于：所述绝缘介质管的内径为100～300微米。
8.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置， 其特征在于：所述高压电源为交流电源，电压峰峰值调节范围为0～20KV，频 率调节范围为1～30KHz。
9.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装置， 其特征在于：所述高压电源为脉冲电源，电压峰峰值调节范围为0～15KV，频 率调节范围为1～10KHz。
10.根据权利要求1所述的一种基于导电涂层的阵列式微等离子体发生装 置，其特征在于：所述均流板上的均流孔按照阵列式规律均匀分布。
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